AUGMENTED SEMICLASSICAL TRANSPORT MODELS FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS （2020 215 S. 22 cm）

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AUGMENTED SEMICLASSICAL TRANSPORT MODELS FOR CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS （2020 215 S. 22 cm）

Mothes, Sven

ウェブストア価格 ¥9,255（本体¥8,414）
THELEM UNIVERSITÄTSVERLAG（2020発売）
外貨定価 EUR 34.80
ポイント 84pt

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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版
商品コード 9783959082075

Description

(Text)
Field effect transistors (FETs) with channel material made of a densearray of perfectly aligned carbon nanotubes (CNTs) have been claimedto replace silicon FETs in various applications, including energy efficienthigh-frequency front-end circuits in communication systems, such ashighly linear and low-noise amplifiers. CNTs are especially suitable forradio frequency (RF) electronics, mainly owing to their high carrier mobility,large saturation velocity and small intrinsic capacitance, which are cruciallyimportant for excellent RF-performance.To support the development of competitive RF-CNTFETs, numerical devicesimulations are required to provide a fundamental understanding of theimpact of various physical effects on the device behavior. Additionally, theoptimization of the device design is guided by these device simulations.They also provide a reference for compact models, which are required forexploring the potential of RF-CNTFETs in circuits and for benchmarkingwith incumbent andother emerging technologies.
(Text)