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(Table of content)
1. Einige Eigenschaften von Halbleitern.- 2. Chemische Bindung in Halbleitern.- 3. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers I. Das ideale Gitter.- 4. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers II. Kristalle in äußeren Feldern - Realkristalle.- 5. Die Statistik der Elektronen und Löcher in Halbleitern.- 6. Kontaktphänomene.- 7. Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger.- 8. Gleichrichtung und Verstärkung von Wechselströmen mit Hilfe von p-n-Übergängen.- 9. Rekombinationsstatistik von Elektronen und Löchern.- 10. Elektronische Oberflächenzustände.- 11. Photoelektrische Erscheinungen.- 12. Gitterschwingungen.- 13. Grundlagen der kinetischen Theorie der Transporterscheinungen.- 14. Streuung der Ladungsträger im nichtidealen Kristallgitter.- 15. Akustoelektrische Erscheinungen.- 16. Heiße Elektronen.- 17. Probleme bei der Begründung der Bändertheorie und Aufgabenstellungen, die über ihren Rahmen hinausgehen.- 18. Halbleiteroptik.- 19. Stark dotierte Halbleiter.-Anhang 1. Zum Beweis des Blochschen Theorems.- Anhang 2. Integrale von Bloch-Funktionen.- Anhang 5. Die Rekombination über mehrfach geladene Haftstellen.- Anhang 6. Das Integral der Oberflächenleitfähigkeit.- Anhang 7. Die Diffusion von Nichtgleichgewichtsladungsträgern im Magnetfeld.- Anhang 8. Die Berechnung der Summe in Gl. (12.2.6).- Anhang 9. Ableitung der Orthogonalitätsbeziehungen (12.2.11).- Anhang 10. Der Übergang von der Summation über diskrete Quasiimpulskomponenten zur Integration.- Anhang 11. Der Operator der Wechselwirkungsenergie von Elektronen und akustischen Phononen.- Anhang 12. Das Potential eines geladenen Zentrums bei Berücksichtigung der Abschirmung durch freie Ladungsträger.- Anhang 13. Die Mittelung über die Störstellenkonfigurationen.-Anhang 14. Ein Theorem für Integrale periodischer Funktionen.- Anhang 15. Integrale der Fermi-Funktion bei starker Entartung.- Verzeichnis der am häufigsten verwendeten Symbole.ung.- 5.7. Die Zustandsdichtemasse.- 5.8. Die Zustandsdichte im quantisierenden Magnetfeld.- 5.9. Die Konzentrationen von Elektronen und Löchern in lokalisierten Niveaus. Einfach geladene Zentren.- 5.10. Mehrfach geladene Zentren.- 5.11. Die Gibbssche Verteilung.- 5.12. Spezialfälle.- 5.13. Die Bestimmung der Lage des Fermi-Niveaus.- 5.14. Das Fermi-Niveau im Eigenhalbleiter.- 5.15. Halbleiter mit Störstellen nur eines Typs.- 5.16. Die gegenseitige Kompensation von Donatoren und Akzeptoren.- 5.17. Kompensierte Halbleiter.- 5.18. Die Bestimmung der Energieniveaus von Störstellen.- 6. Kontaktphänomene.- 6.1. Potentialbarrieren.- 6.2. Die Stromdichte und die Einstein-Relation.- 6.3. Gleichgewichtsbedingungen für im Kontakt befindliche Körper.- 6.4. Die thermische Austrittsarbeit.- 6.5. Kontaktpotentiale.- 6.6. Der Verlauf der Elektronenkonzentration und des Potentials in der Raumladungsschicht.- 6.7. Die Abschirmlänge.- 6.8. Die Anreicherungsrandschicht eines Kontaktes für den stromlosen Fall.- 6.9. Die Verarmungsrandschicht eines Kontaktes.- 6.10. Raumladungsbegrenzte Ströme.- 6.11. Gleichrichtung am Metall-Halbleiter-Kontakt.- 6.12. Die Diffusionstheorie.- 6.13. Vergleich mit dem Experiment.- 7. Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger.- 7.1. Niehtgleichgewichtsladungsträger.- 7.2. Die Lebensdauer von Nichtgleichgewichtsladungsträgern.- 7.3. Kontinuitätsgleichungen.- 7.4. Die Photoleitfähigkeit.- 7.5. Das Quasi-Fermi-Niveau.- 7.6. p-n-Übergänge.- 7.7. Der Nachweis von Nichtgleichgewichtsladungsträgern.- 7.8. Ambipolare Diffusion und ambipolare Ladungsträgerdrift.- 7.9. Diffusions- und Driftlängen.- 7.10. n+-n- und p+-p-Übergänge.- 8. Gleichrichtung und Verstärkung von Wechselströmen mit Hilfe von p-n-Übergängen.- 8.1. Statische Strom-Spannungs-Charakteristik eines p-n-Übergangs.- 8.2. p-n-Übergang bei angelegter Wechselspannung.- 8.3. Tunneleffekte in p-n-Übergängen - Tunneldioden.- 8.4. Der Bipolartransisto
Contents
1. Einige Eigenschaften von Halbleitern.- 2. Chemische Bindung in Halbleitern.- 3. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers I. Das ideale Gitter.- 4. Grundlagen der Bändertheorie des Festkörpers II. Kristalle in äußeren Feldern — Realkristalle.- 5. Die Statistik der Elektronen und Löcher in Halbleitern.- 6. Kontaktphänomene.- 7. Elektronen und Löcher als Nichtgleichgewichtsladungsträger.- 8. Gleichrichtung und Verstärkung von Wechselströmen mit Hilfe von p-n-Übergängen.- 9. Rekombinationsstatistik von Elektronen und Löchern.- 10. Elektronische Oberflächenzustände.- 11. Photoelektrische Erscheinungen.- 12. Gitterschwingungen.- 13. Grundlagen der kinetischen Theorie der Transporterscheinungen.- 14. Streuung der Ladungsträger im nichtidealen Kristallgitter.- 15. Akustoelektrische Erscheinungen.- 16. Heiße Elektronen.- 17. Probleme bei der Begründung der Bändertheorie und Aufgabenstellungen, die über ihren Rahmen hinausgehen.- 18. Halbleiteroptik.- 19. Stark dotierte Halbleiter.- Anhang 1. Zum Beweis des Blochschen Theorems.- Anhang 2. Integrale von Bloch-Funktionen.- Anhang 5. Die Rekombination über mehrfach geladene Haftstellen.- Anhang 6. Das Integral der Oberflächenleitfähigkeit.- Anhang 7. Die Diffusion von Nichtgleichgewichtsladungsträgern im Magnetfeld.- Anhang 8. Die Berechnung der Summe in Gl. (12.2.6).- Anhang 9. Ableitung der Orthogonalitätsbeziehungen (12.2.11).- Anhang 10. Der Übergang von der Summation über diskrete Quasiimpulskomponenten zur Integration.- Anhang 11. Der Operator der Wechselwirkungsenergie von Elektronen und akustischen Phononen.- Anhang 12. Das Potential eines geladenen Zentrums bei Berücksichtigung der Abschirmung durch freie Ladungsträger.- Anhang 13. Die Mittelung über die Störstellenkonfigurationen.-Anhang 14. Ein Theorem für Integrale periodischer Funktionen.- Anhang 15. Integrale der Fermi-Funktion bei starker Entartung.- Verzeichnis der am häufigsten verwendeten Symbole.
