Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics) （2012. xx, 289 S. XX, 289 p. 235 mm）

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Analysis and Simulation of Heterostructure Devices (Computational Microelectronics) （2012. xx, 289 S. XX, 289 p. 235 mm）

Palankovski, Vassil/Quay, Ruediger

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SPRINGER, WIEN; SPRINGER VIENNA; SPRINGER（2012発売）
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版
商品コード 9783709171936

Full Description

Currently semiconductor heterostructure devices, such as Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) and High Electron Mobility Transis tors (HEMTs), are among the fastest and most advanced high-frequency devices. Simulation tools for technology, devices, and circuits reduce expensive technological efforts.