Hot-Electron Transport in Semiconductors (Topics in Applied Physics .58) / Mitarbeit: Asche, M./ Canali, C./ Constant, E./ Hess, K./ Iafrate, G.J./ Herausgegeben von Reggiani, L.

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Hot-Electron Transport in Semiconductors (Topics in Applied Physics .58) （2014. xvi, 275 S. XVI, 275 p. 26 illus. 235 mm）

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Hot-Electron Transport in Semiconductors (Topics in Applied Physics .58) （2014. xvi, 275 S. XVI, 275 p. 26 illus. 235 mm）

Mitarbeit: Asche, M./ Canali, C./ Constant, E./ Hess, K./ Iafrate, G.J./ Herausgegeben von Reggiani, L.

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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版
商品コード 9783662309353

Description

(Table of content)
General theory.- Drift velocity and diffusion coefficients from time-of-flight measurements.- Transport parameters from microwave conductivity and noise measurements.- Multivalued distributions of hot electrons between equivalent valleys.- Streaming motion of carriers in crossed electric and magnetic fields.- Hot electrons in semiconductor heterostructures and superlattices.- Non-steady-state carrier transport in semiconductors in perspective with submicrometer devices.

General theory.- Drift velocity and diffusion coefficients from time-of-flight measurements.- Transport parameters from microwave conductivity and noise measurements.- Multivalued distributions of hot electrons between equivalent valleys.- Streaming motion of carriers in crossed electric and magnetic fields.- Hot electrons in semiconductor heterostructures and superlattices.- Non-steady-state carrier transport in semiconductors in perspective with submicrometer devices.