Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie : Der inverse Thyristor

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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie : Der inverse Thyristor

Böttcher, Norman

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Springer Vieweg（2026/01発売）
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 212 p.
商品コード 9783658501501

Description

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.

Motivation.- Physikalische Grundlagen.- Analytische Bauteilmodellierung.- Bauelementauslegung und
Monolithische Integration.- Charakterisierung und Diskussion.- Zusammenfassung und Ausblick.

Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke