Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie : Der inverse Thyristor （2025. Etwa 275 S. 210 mm）

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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie : Der inverse Thyristor （2025. Etwa 275 S. 210 mm）

Boettcher, Norman

ウェブストア価格 ¥21,511（本体¥19,556）
SPRINGER, BERLIN; SPRINGER VIEWEG（2026/04発売）
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版
商品コード 9783658501501

Full Description

Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.

Motivation.- Physikalische Grundlagen.- Analytische Bauteilmodellierung.- Bauelementauslegung und
Monolithische Integration.- Charakterisierung und Diskussion.- Zusammenfassung und Ausblick.