Protonendotierung von Silizium : Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium （2014）

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Protonendotierung von Silizium : Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium （2014）

Laven, Johannes G

ウェブストア価格 ¥15,732（本体¥14,302）
Springer Vieweg（2014/10発売）
外貨定価 US$ 74.99
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 314 p.
言語 GER
商品コード 9783658073893
DDC分類 537.622

Full Description

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere für die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor führt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abhängigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.

Einleitung.- Grundlagen der Protonendotierung.- Durchführung und Charakterisierungsmethoden.- Ladungsträgerproﬁle und Parameterabhängigkeiten.- Strahlungsinduzierte Störstellen.- Modellierung.- Zusammenfassung und Ausblick.- Anhang.