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Description
(Text)
Ais ich es vor einigen Jahren tibernahm, eine Monographie tiber den Transistor zu schreiben, wurde mir sehr bald klar, daB der ungewohnlich schnelle Fortschritt der Transistortechnik die Fahigkeit eines einzelnen Autors, ihm gerecht zu werden, tibersteigt. Ich sah mich deshalb nach Mit arbeitern urn. Es gelang mir, hervorragende Fachleute, die Herren Prof. BENEKING, Dr. KROMER und Dr. v. MUNCH zur Mitarbeit zu gewinnen. Die Aufteilung eines Stoffes auf mehrere Verfasser hat Vorztige und birgt Gefahren. Eine gewisse Heterogenitat in Stil und Darstellung laBt sich dabei nicht ganz vermeiden. Der Gewinn liegt darin, daB die Teilgebiete von den Verfassern auf Grund ihrer speziellen Kenntnisse besonders tief grtindig bearbeitet werden konnen. Ferner liefert jeder Autor ein abge schlossenes und fUr sich lesbares Kapitel. Dadurch wird dem Leser die Bewaltigung des gesamten Stoffes erleichtert. Ich hoffe, daB im vorliegen den Fall die Vorteile die Nachteile tiberwiegen. Dem Sinne der vorliegenden Sammlung von technisch-physikalischen Einzeldarstellungen entsprechend, haben die Verfasser versucht, das fUr das Verstandnis des Transistors erforderliche Wissen und die fUr den Um gang mit ihm notwendigen Voraussetzungen von einem vorwiegend phy sikalischen Standpunkt aus darzustellen, wobei die grundlegenden Fragen besonders berticksichtigt wurden. Das Buch ist dementsprechend fUr aIle Naturwissenschaftler, Physiker, Techniker und Studierende dieser Ge biete geschrieben, die sich mit der Physik und Technik des Transistors beschaftigen wollen und sich fUr ein tieferes Verstandnis diesel' ::laterie interessieren. Die Literaturverzeichnisse werden dem an einer eingehen deren Behandlung einzelner Fragen interessierten Leser weiterhelfen.
(Table of content)
A Die physikalischen Grundlagen des Transistors.- I. Das Bändermodell der Halbleiter.- II. Raumladungsschichten bei inhomogener Störstellenkonzentration.- III. Elektronen- und Löcherströme in homogenen Halbleitern und durch pn-Übergänge.- IV. Allgemeine Theorie des Transistors.- Literaturverzeichnis zu Teil A.- B Die technologischen Grundlagen des Transistors.- I. Die Technologie des Halbleitermaterials.- II. Die Technologie von pn-Übergängen und Transistoren.- Literaturverzeichnis zu Teil B.- C Allgemeine Schaltungstheorie des Transistors.- Vorbemerkung.- Literaturverzeichnis zu Teil C.- D Physikalische und technische Eigenschaften der Transistoren.- I. Transistormeßtechnik.- II. Eigenschaften verschiedener Typen von Transistoren.- III. Spezielle Halbleiterbauelemente.- Literaturverzeichnis zu Teil D.- Namenverzeichnis.
Contents
A Die physikalischen Grundlagen des Transistors.- I. Das Bändermodell der Halbleiter.- II. Raumladungsschichten bei inhomogener Störstellenkonzentration.- III. Elektronen- und Löcherströme in homogenen Halbleitern und durch pn-Übergänge.- IV. Allgemeine Theorie des Transistors.- Literaturverzeichnis zu Teil A.- B Die technologischen Grundlagen des Transistors.- I. Die Technologie des Halbleitermaterials.- II. Die Technologie von pn-Übergängen und Transistoren.- Literaturverzeichnis zu Teil B.- C Allgemeine Schaltungstheorie des Transistors.- Vorbemerkung.- Literaturverzeichnis zu Teil C.- D Physikalische und technische Eigenschaften der Transistoren.- I. Transistormeßtechnik.- II. Eigenschaften verschiedener Typen von Transistoren.- III. Spezielle Halbleiterbauelemente.- Literaturverzeichnis zu Teil D.- Namenverzeichnis.
