Eigenschaften von T- und Y-Schaltern aus Graphen : Untersuchung epitaktischen Wachstums von Graphen auf 6H-SiC und Analyse von T-/Y-Schaltern aus Graphen als Transistoren (2015. 84 S. 220 mm)

個数:

Eigenschaften von T- und Y-Schaltern aus Graphen : Untersuchung epitaktischen Wachstums von Graphen auf 6H-SiC und Analyse von T-/Y-Schaltern aus Graphen als Transistoren (2015. 84 S. 220 mm)

  • オンデマンド(OD/POD)版です。キャンセルは承れません。
  • ≪洋書のご注文について≫ 「海外取次在庫あり」「国内在庫僅少」および「国内仕入れ先からお取り寄せいたします」表示の商品でもクリスマス前(12/20~12/25)および年末年始までにお届けできないことがございます。あらかじめご了承ください。

  • 【入荷遅延について】
    世界情勢の影響により、海外からお取り寄せとなる洋書・洋古書の入荷が、表示している標準的な納期よりも遅延する場合がございます。
    おそれいりますが、あらかじめご了承くださいますようお願い申し上げます。
  • ◆画像の表紙や帯等は実物とは異なる場合があります。
  • ◆ウェブストアでの洋書販売価格は、弊社店舗等での販売価格とは異なります。
    また、洋書販売価格は、ご注文確定時点での日本円価格となります。
    ご注文確定後に、同じ洋書の販売価格が変動しても、それは反映されません。
  • 製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版/ページ数 84 p.
  • 商品コード 9783639789560

Description


(Text)
Graphene was expitaxially grown on 6H-SiC in a furnace with graphit chamber in an argon atmosphere at 1.5 bar. Dependence of the growth process on temperature and heating time were analyzed. The graphene quality, doping and thickness were analyzed with Raman spectroscopy. Infrared reflection spectroscopy allowed identifying surface plasmon related to graphene. Y-/T-Three Terminal Junctions (TTJ) were fabricated. The dependence of their rectifying behavior on the geometrical design was studied. Thereby a specific parameter was identified determining the behaviour of the TTJs. Furthermore, an explanation for the observation of diffuse behavior in TTJs with very narrow channels at a push-pull voltage close to zero is proposed. For the first time a switching, transistor like behavior is observed in TTJs made of graphene. The transconductance of these structures reaches values up to 440 µS/µm. The differential current gain is at maximum 560. An explanation for this behavior is attempted. Transmission conductance measurements of Titanium-Gold and Chrom-Gold contacts are conducted. The contact resistance is found to be 1600 µm and 4400 µm respectively.
(Author portrait)
Händel, BenjaminBenjamin Händel studierte technische Physik an der TU Ilmenau. Dabei befasste er sich mit den Forschungsschwerpunkten Plasmonen und Three Terminal Junctions aus Graphen. Heute arbeitet er in der Wirtschaft.

最近チェックした商品