Semiconductor Power Devices : Volume 2: Packaging, Thermal aspects, Reliability and Ruggedness （3. Aufl.）

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Semiconductor Power Devices : Volume 2: Packaging, Thermal aspects, Reliability and Ruggedness （3. Aufl.）

Lutz, Josef/ Schlangenotto, Heinrich/ Scheuermann, Uwe

ウェブストア価格 ¥56,304（本体¥51,186）
Springer, Berlin; Springer Nature Switzerland; Springer（2026/08発売）
外貨定価 EUR 213.99
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製本 Hardcover:ハードカバー版
商品コード 9783032234889

Full Description

This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. Volume 2 focuses on Packaging, Cooling, Reliability, and Advanced Design Aspects of Power Devices. Readers will find in-depth coverage of packaging technologies, including conventional and advanced concepts for Si, SiC, and GaN devices, thermal simulation methods, and parasitic electrical elements in power modules. The book explores cooling strategies from air to liquid and double-sided cooling, followed by comprehensive chapters on reliability testing, failure mechanisms, and lifetime prediction models. It also addresses destructive phenomena such as thermal breakdown, surge currents, overvoltage, and short-circuit behavior, along with cosmic ray failures and their mitigation. Additional chapters discuss electromagnetic disturbances, oscillations, and the integration of power electronic systems, making this volume an essential resource for engineers and researchers working on robust and efficient power device design.

1. The Challenge of Packaging Technology.- 2. Package Types.- 3. Conventional Capsules.- 4. IGBT Presspacks.- 5. The TO-Family and Its Relatives.- 6. GaN Device Packages.- 7. Physical Properties of Materials.- 8. Thermal Simulation and Thermal Equivalent Circuits.