Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations (Electronic Materials: Science & Technology) / Rupp, Jennifer (EDT)/ Ielmini, Daniele (EDT)/ Valov, Ilia (EDT)

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Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations (Electronic Materials: Science & Technology)

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Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations (Electronic Materials: Science & Technology)

Rupp, Jennifer (EDT)/ Ielmini, Daniele (EDT)/ Valov, Ilia (EDT)

ウェブストア価格 ¥39,281（本体¥35,710）
Springer Nature Switzerland AG（2021/10発売）
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製本 Hardcover:ハードカバー版／ページ数 383 p.
言語 ENG
商品コード 9783030424237

Full Description

This book provides a broad examination of redox-based resistive switching memories (ReRAM), a promising technology for novel types of nanoelectronic devices, according to the International Technology Roadmap for Semiconductors, and the materials and physical processes used in these ionic transport-based switching devices.