Atomic Layer Deposition for Semiconductors

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Atomic Layer Deposition for Semiconductors

Hwang, Cheol Seong (EDT)

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Springer-Verlag New York Inc.（2016/08発売）
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ウェブストア価格 ¥35,948（本体¥32,680）
Springer-Verlag New York Inc.（2016/08発売）
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製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 263 p.
言語 ENG
商品コード 9781489979438
DDC分類 541

Full Description

This edited volume discusses atomic layer deposition (ALD) for all modern semiconductor devices, moving from the basic chemistry of ALD and modeling of ALD processes to sections on ALD for memories, logic devices, and machines. The section on ALD for memories covers both mass-produced memories, such as DRAM and Flash, and emerging memories, such as PCRAM and FeRAM. The section on ALD for logic devices covers both front-end of the line processes and back-end of the line processes. The final section on ALD for machines looks at toolsets and systems hardware. Each chapter provides the history, operating principles, and a full explanation of ALD processes for each device.

Introduction.- Precursors and reaction mechanisms.- ALD simulations.- ALD for mass-production memories (DRAM and Flash).- ALD for emerging memories.- PcRAM.- FeRAM.- Front end of the line process.- Back end of the line.- ALD machines.