Nonvolatile Memory Design : Magnetic, Resistive, and Phase Change

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Nonvolatile Memory Design : Magnetic, Resistive, and Phase Change

Li, Hai/ Chen, Yiran

ウェブストア価格 ¥70,963（本体¥64,512）
CRC Press Inc（2011/12発売）
外貨定価 US$ 350.00
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製本 Hardcover:ハードカバー版／ページ数 208 p.
言語 ENG
商品コード 9781439807453
DDC分類 621.39732

基本説明

Covers the most promising candidates of next-generation nonvolatile memory technologies. Discusses process development, device fundamentals, memory cell optimization, circuit design trade-offs, testing considerations, and potential applications.

Full Description

The manufacture of flash memory, which is the dominant nonvolatile memory technology, is facing severe technical barriers. So much so, that some emerging technologies have been proposed as alternatives to flash memory in the nano-regime. Nonvolatile Memory Design: Magnetic, Resistive, and Phase Changing introduces three promising candidates: phase-change memory, magnetic random access memory, and resistive random access memory. The text illustrates the fundamental storage mechanism of these technologies and examines their differences from flash memory techniques. Based on the latest advances, the authors discuss key design methodologies as well as the various functions and capabilities of the three nonvolatile memory technologies.

Introduction to Semiconductor Memories. Phase Change Memory (PCM). Toggle-Mode MRAM (TM-MRAM). Spin-Torque Transfer RAM (STT -RAM). Resistive RAM (R-RAM). Memresistor. The Future of Nonvolatile Memory.