Semiconductor Devices and Technologies for Future Ultra Low Power Electronics

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  • 製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版/ページ数 290 p.
  • 言語 ENG
  • 商品コード 9781032061627
  • DDC分類 621.381

Full Description

This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power applications owing to their better subthreshold swing and scalability. In addition, the text examines the use of field-effect transistors for biosensing applications and covers design considerations and compact modeling of advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, and TFETs. TCAD simulation examples are also provided.

FEATURES




Discusses the latest updates in the field of ultra low power semiconductor transistors



Provides both experimental and analytical solutions for TFETs and NCFETs



Presents synthesis and fabrication processes for FinFETs



Reviews details on 2-D materials and 2-D transistors



Explores the application of FETs for biosensing in the healthcare field

This book is aimed at researchers, professionals, and graduate students in electrical engineering, electronics and communication engineering, electron devices, nanoelectronics and nanotechnology, microelectronics, and solid-state circuits.

Contents

1. An Introduction to Nanoscale CMOS Technology Transistor. 2. High Performance Tunnel Field Effect Transistor (TFET) for Future Low Power Applications. 3. Ultra Low Power III-V Tunnel Field Effect Transistors. 4. Performance Analysis of Carbon Nanotube and Graphene Tunnel Field Effect Transistors. 5. Characterization of Silicon FinFETs Under Nanoscale Dimension. 6. Germenium or SiGe FinFETs for Enhanced Performance in Low Power Applications. 7. Switching Performance Analysis of III-V FinFET. 8. Negative Capacitance Field Effect Transistors to Address the Fundamental Limitations in Technology Scaling. 9. Recent Trends in Compact Modeling of Negative Capacitance Field Effect Transistors. 10. Fundamentals of 2D Materials. 11. Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Materials in Field Effect Transistor (FET) Devices for Low Power Applications.

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