Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications

個数：

Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications

Mohankumar, N. (EDT)

ウェブストア価格 ¥13,244（本体¥12,040）
CRC Press（2023/09発売）
外貨定価 US$ 63.99
ポイント 120pt

提携先の海外書籍取次会社に在庫がございます。通常3週間で発送いたします。
【重要ご説明事項】
1. 納期遅延や、ご入手不能となる場合が若干ございます。
2. 複数冊ご注文の場合は、ご注文数量が揃ってからまとめて発送いたします。
3. 美品のご指定は承りかねます。

●3Dセキュア導入とクレジットカードによるお支払いについて

【入荷遅延について】
世界情勢の影響により、海外からお取り寄せとなる洋書・洋古書の入荷が、表示している標準的な納期よりも遅延する場合がございます。
おそれいりますが、あらかじめご了承くださいますようお願い申し上げます。

◆画像の表紙や帯等は実物とは異なる場合があります。

◆ウェブストアでの洋書販売価格は、弊社店舗等での販売価格とは異なります。
また、洋書販売価格は、ご注文確定時点での日本円価格となります。
ご注文確定後に、同じ洋書の販売価格が変動しても、それは反映されません。

製本 Paperback:紙装版/ペーパーバック版／ページ数 130 p.
言語 ENG
商品コード 9780367554156
DDC分類 621.3815284

Full Description

High electron mobility transistor (HEMT) has better performance potential than the conventional MOSFETs. Further, InAs is a perfect candidate for the HEMT device architecture owing to its peak electron mobility. Advanced Indium Arsenide-based HEMT Architectures for Terahertz Applications characterizes the HEMT based on InAs III-V material to achieve outstanding current and frequency performance. This book explains different types of device architectures available to enhance performance including InAs-based single gate (SG) HEMT and double gate (DG) HEMT. The noise analysis of InAs-based SG and DG-HEMT is also discussed. The main goal of this book is to characterize the InAs device to achieve terahertz frequency regime with proper device parameters.

Features:

Explains the influence of InAs material in the performance of HEMTs and MOS-HEMTs.

Covers novel indium arsenide architectures for achieving terahertz frequencies

Discusses impact of device parameters on frequency response

Illustrates noise characterization of optimized indium arsenide HEMTs

Introduces terahertz electronics including sources for terahertz applications.

This book is of special interest to researchers and graduate students in Electronics Engineering, High Electron Mobility Transistors, Semi-conductors, Communications, and Nanodevices.

1. Introduction to III-V materials and HEMT Structure. 2. III-V Hetero Structure Devices for Ultra Low, High Power and High Breakdown Applications. 3. III-V Hetero Structure Devices for High Frequency Applications. 4. Overview of THz Applications. 5. Device and Simulation Framework of InAs HEMTs. 6. Single Gate (SG)InAs Based HEMTs Architecture for THz Applications. 7. Effect of Gate Scaling and Composite Channel in InAsHEMT. 8. Double Gate (DG) InAs Based HEMT Architecture for THz Applications. 9. Influence of Dual Channel and Drain Side Recess Length in Double Gate InAs HEMTs. 10. Noise Analysis in Dual Quantum Well InAs Based Double Gate (DG) - HEMT