内容説明
豊富な図でわかりやすく解説。
目次
第１章 パワーエレクトロニクスならびにパワー半導体デバイス（インバータ回路の種類；パワー半導体デバイスの役割とその課題 ほか）
第２章 シリコンパワー半導体デバイスの現状ならびに進展（開発スピードが一向に衰えないシリコンパワー半導体デバイス；シリコンＭＯＳＦＥＴ・ＩＧＢＴを支える最新技術 ほか）
第３章 ＳｉＣパワー半導体デバイスの進展（ＳｉＣパワー半導体デバイス優位点のおさらい；ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴかＳｉＣ ＩＧＢＴか ほか）
第４章 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ破壊耐量（安全動作領域；負荷短絡耐量 ほか）
第５章 ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ実装技術（必要となる要素技術；ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴパッケージ内に取り込まれた要素技術）
著者等紹介
岩室憲幸［イワムロノリユキ］
１９６２年東京都板橋区生まれ。２０１３年４月筑波大学数理物質系物理工学域教授。専門：ＳｉＣパワーデバイスの設計ならびに解析。所属学会：電気学会上級会員、応用物理学会会員、ＩＥＥＥ Ｓｅｎｉｏｒ Ｍｅｍｂｅｒ（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。
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