設計技術シリーズ 次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎―Ｓｉから新材料への新展開

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第１章　パワーデバイスの基礎
第２章　ＳｉＣパワーデバイス
第３章　ＧａＮパワーデバイス
第４章　Ｇａ２Ｏ３パワーデバイス
第５章　ダイヤモンドパワーデバイス
第６章　ワイドバンドギャップ半導体のための実装技術

感想・レビュー

※以下の感想・レビューは、株式会社ドワンゴの提供する「読書メーター」によるものです。

ＪＵＮ

難し過ぎて、ほとんど理解できず。2021/08/03

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