出版社内容情報
執筆者
前田茂伸 三菱電機(株)ULSI技術開発センター
◆第1章 なぜ低消費電力デバイスか？
1.1 スケーリング則と絶縁膜上のMOSFET
1.2 多結晶シリコンTFT負荷型SRAM
1.3 多結晶シリコンTFTの構造とデバイス物理
1.4 SOIデバイスの特徴
1.5 SOIデバイスのフローティングボディ効果
1.6 まとめ
◆第2章 多結晶シリコンTFTにおけるBTストレス信頼性
2.1 BTストレスはなぜ重要か？
2.2 BTストレス劣化モデル
2.3 単結晶シリコンの場合のBTストレス劣化
2.4 多結晶シリコンの場合のBTストレス劣化
2.5 TFTの構造とBTストレス実験
2.6 BTストレス実験の結果とモデルの検証
2.7 他のモデルの検討
2.8 多結晶シリコンTFTの特性の確率論的なバラつきの考察
2.9 バラつき評価実験
2.10 初期しきい値と－BTストレスによるしきい値シフトのバラつき
2.11 バラつきのモデル化
2.12 多結晶シリコンの欠陥と水素のかかわり
2.13 まとめ
2.14 今後の課題と展開
◆第3章 ボディ固定型SOIデバイスのデバイス物理～SOIのフローティング・ボディ
効果解消法～
3.1 SOI MOSFETのフローティングボディ効果とは？
3.2 ボディ固定型SOIデバイスとフローティングSOIデバイスの比較
3.3 高速動作時のボディ抵抗の影響
3.4 過渡的にボディ電位を変動させる要因の大きさ見積もり
3.5 過渡的なフローティングボディ効果に関するデバイス設計指針
3.6 過渡的なフローティングボディ効果の解決
3.7 ボディ固定型SOI MOSFETにおける基板バイアスの影響の考察
3.8 ボディ固定型SOI MOSFETの基板バイアス効果に関する実験結果
3.9 完全空乏化時のソース・ドレイン耐圧の考察
3.10 完全空乏化時のソース・ドレイン耐圧に関する実験結果
3.11 基板バイアス効果を考慮したデバイス設計指針と回路動作に与える影響
3.12 まとめ
3.13 ボディ固定SOIデバイスの設計指針
3.14 今後の課題と展開
◆第4章 フローティングSOI MOSFETのホットキャリア寿命予測法
4.1 フローティングSOI MOSFETのホットキャリアによる特性劣化
4.2 ホットキャリア寿命の予測のコンセプト
4.3 正孔電流の見積もり
4.4 ホットキャリア寿命予測方法
4.5 モデルの検証
4.6 まとめ
4.7 今後の課題・展開
4.8 ボディ固定SOIデバイスとフローティングSOIデバイスの将来性について
◆第5章 絶縁膜上のMOSFETの他の応用
5.1 多結晶シリコンTFT技術のDRAMメモリセルへの応用
5.2 DRAMメモリセルサイズ縮小のトレンド
5.3 縦型Φシェイプ・トランジスタ（VΦT）を用いたDRAMセルの特徴
5.4 VΦTのプロセスフロー
5.5 VΦTの可能性
5.6 SOIデバイスのRFアナログ分野への応用
5.7 RF／アナログ応用に対するSOI構造のメリット・デメリット
5.8 高抵抗基板とハイブリッド・トレンチ分離を用いたSOI構造
5.9 RF／アナログ性能の検証
5.10 まとめと今後の課題・展開
◆第6章 結 論
6.1 各章の結論
6.2 今後の課題と展開
