内容説明
最先端の技術開発を担う多数の研究者の協力を得て、材料技術からデバイス作製技術までの最新動向を一冊にまとめ、第一線、及び関連の研究者、技術者への便宜を図ることを本書の狙いとしている。
目次
展望 高周波利用のゆくえ、デバイスの位置づけ（高周波半導体材料の変遷；デバイスおよび回路設計技術の展望）
第１編 化合物半導体基板技術（ＧａＡｓ基板；ＳｉＣ基板；新材料系基盤）
第２編 結晶成長技術（３‐Ｖ族化合物成長技術；３‐Ｎ化合物成長技術；Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ ＴＭによるウェーハ貼り合わせ技術）
第３編 デバイス技術（３‐Ｖ族系デバイス；３族窒化物系デバイス；シリコン系デバイス；テラヘルツ波半導体デバイス）
著者等紹介
佐野芳明［サノヨシアキ］
沖電気工業（株）研究開発本部主幹研究員
奥村次徳［オクムラツグノリ］
首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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