出版社内容情報
★プラズマ・イオンビームのナノテクノロジーへの応用展開！！
★プラズマ・イオンビームの基礎から各種装置技術、表面・界面機能材料、機能素子への応用までを展開！！
発刊にあたり
電子あるいはイオンが発見されたのは今から約百年前にさかのぼり，物理学の分野ではじめてプラズマなる言葉を用いたのはLangmuirで80年前のことである。放電プラズマにより容易に発生された電子やイオンは電界，磁界によりエネルギーや位置を拘束に制御できる。電子ビームは高密度エネルギーの担い手として熱化学反応への応用が，またイオンビームは物質とエネルギーを運ぶ担い手として半導体のイオン注入として工業的に利用され発展してきた。現在では，半導体・電子部品などに代表される最先端の超微細加工あるいは超薄膜などの分野で不可欠の材料プロセス技術となっている。さらには固体表面の極微小領域の分析プローブとしても活躍している。
このプラズマ・イオンビーム技術の特徴は，物質を原子・分子の状態に分解し電磁気的に制御された状態で原子・分子を操作できることで，「アトミックピンセット」とあいての能力を有していることである。
最近，ナノテクノロジーが「第二の産業革命」の起爆剤になりうるものと見られ世界中の注目を集めている。ナノスケールで組成制御された材料，ナノ粒子から集積された機能性超薄膜材料，ナノスケールでの微細加工ならびにナノ領域での分析評価などの研究が世界各国で精力的に行われている。
この最先端ナノテクノロジーの共通基盤技術は，物質を原子・分子のオーダーで制御し自由に操る技術であり，プラズマ・イオンビーム技術がそのプロセス技術として注目されている。この技術をナノテクノロジーの基盤技術として応用し発展させるためには，プラズマあるいはイオンビームと物質との相互作用，装置および応用技術理解し，材料プロセス技術として定着させることが重要である。
本書は，この様な観点からプラズマ，イオンと固体物質との相互作用，各種プラズマ，イオンビーム装置および機能性材料の創成プロセスへの応用に重点を置き，それぞれの分野の第一人者にお願いし，最先端ナノテクノロジーに関する研究の一端を紹介をいただいた。本書がプラズマ・イオンビーム技術を利用した装置，機能性材料，部品等に関連したナノテクノロジーに挑戦されている研究者・技術者の一助になれば幸甚である。
2002年3月
龍谷大学 上條榮治
執筆者一覧
上條榮治 龍谷大学 理工学部 物質化学科 教授
橘 邦英 京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻 教授
石川順三 京都大学大学院 工学研究科 電子物性工学専攻 教授
佐々木光正 スルザーメテコジャパン（株） 技術開発部 マネージャー
北村順也 （財）ファインセラミックスセンター ＦＣＴ研究本部 研究員
薄葉 州 （独）産業技術総合研究所 新炭素系材料開発研究センター 極限反応チーム 主任研究員
鈴木正康 （株）島津製作所 産業機械事業部 技術部 主任
圷 繁 芝浦メカトロニクス（株） 自動機・真空機器事業部 技師長
廣野 滋 NTTアフティ?梶@ECR事業部 担当部長
安岡 学 （株）不二越 マテリアル事業部 コーティング部 コーティング部長
玉垣 浩 （株）神戸製鋼所 機械カンパニー 高機能商品部 開発室 室長
寺山暢之 神港精機（株） 技術部 開発課 主任
中野博彦 （株）サムコ インターナショナル研究所 開発部 開発第１グループ 課長
平本道広 （株）サムコ インターナショナル研究所 開発部 プロセス開発室 主任技術者
粟井 清 住友重機械工業?梶@機械事業本部 主席技師
酒見俊之 住友重機械工業（株） 技術本部 技術開発センター 主任研究員
松田耕自 日新イオン機器（株） 専務取締役
八坂行人 セイコーインスツルメンツ（株） 科学機器事業部 技術２部 部長
馬場恒明 長崎県工業技術センター 工業材料科 専門研究員
石川 靖 （株）日立ハイテクノロジーズ デバイス製造装置事業統括本部 主任技師
清野知之 （株）日立製作所 電力・電機グループ 電力・電機開発研究所 研究員
岩木正哉 理化学研究所 物質基盤研究部 基盤研究部長
田中克彦 （株）村田製作所 技術開発本部 機能材料研究部 主席研究員
橘 武史 （株）神戸製鋼所 技術開発本部 電子技術研究所
中東孝浩 日本アイ・ティ・エフ（株） 技術部 部長補佐
松本精一郎 物質・材料研究機構 物質研究所 スーパーダイヤグループ
青井芳史 龍谷大学 理工学部 助手
大竹尚登 東京工業大学大学院 理工学研究科 機械物理工学専攻 助教授
三重野 哲 静岡大学 理学部 物理学科 教授
菊地直人 金沢工業大学 高度材料科学研究開発センター 研究員
草野英二 金沢工業大学 工学部 先端材料工学科 教授
臼杵辰朗 三洋電機（株） ニューマテリアル研究所 先端機能材料研究部 担当課長
小倉盛生 三洋電機（株） ニューマテリアル研究所 先端機能材料研究部
細野秀雄 東京工業大学 応用セラミックス研究所 教授；科技団ＥＲＡＴＯ 透明電子活性プロジェクト リーダー
安保正一 大阪府立大学大学院 工学研究科 教授
竹内雅人 大阪府立大学大学院 工学研究科 博士後期課程３年
小川倉一 （財）大阪産業振興機構 大阪府中小企業支援センター サブマネージャー
中山 明 （財）地球環境産業技術研究機構 環境触媒研究室 主任研究員
構成および内容
総論 プラズマ・イオンビーム技術の新展開 上條榮治
１． プラズマ・イオンビーム技術とナノテクノロジー ・・・・・・・・・・・・・・・・・１
２． ナノテクノロジーに関連した日本の動き ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２
３． ナノテクノロジーに関連した世界の動き ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３
４． 本書の内容 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４
５． まとめ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５
基礎編
第１章 プラズマの物理化学 橘 邦英
１． はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・９
２． プラズマ中での反応過程 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０
３． 反応場としてのプラズマ源 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７
４． プラズマ反応場の制御 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２８
第２章 イオンビームの物理化学 石川順三
１． イオンの発生とイオン源 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３１
１．１ イオン源プラズマを生成する方法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・32
１．２ 表面効果法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・33
２． イオンビームの輸送 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３４
２．１ ビーム輸送における各機能 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・34
２．２ 大電流イオンビームの発散抑制 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・35
３． イオンビームと固体表面相互作用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３６
３．１ イオンビーム蒸着 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・38
３．２ イオンビームエッチング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・40
３．３ イオン注入 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・41
第３章 プラズマ装置
１．プラズマ照射装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４５
１．１プラズマ溶射装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・45 佐々木光正
１．１．１ はじめに
１．１．２ プラズマ溶射装置の特徴
１．１．３ プラズマ溶射装置の構成
１．１．４ プラズマ溶射ガン
１．１．５ プラズマ溶射制御装置
１．１．６ プラズマ電源
１．１．７ 冷却水循環装置
１．１．８ 粉末供給装置
１．１．９ 種類
１．１．10 応用
１．１．11 まとめ
１．２電磁加速プラズマ溶射装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・61 北村順也，薄葉 州
１．２．１ はじめに
１．２．２ 原理
１．２．３ Ｂ４Ｃ溶射実験
１．２．４ 考察および結論
２．２ プラズマＣＶＤ装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・６７ 鈴木正康
２．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・67
２．２ ＰＣＶＤの産業利用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・67
２．３ ＰＣＶＤの特徴 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・68
２．４ ＰＣＶＤによる薄膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・69
２．５ ＰＣＶＤ装置の要素技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・69
２．５．１ プラズマ励起方法
２．５．２ ガス導入・流れ制御方法
２．６ 産業用ＰＣＶＤ装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・74
２．６．１ 太陽電池反射防止膜成膜装置
２．６．２ ＥＣＲ－ＣＶＤによるＤＬＣ膜
２．７ その他のＰＣＶＤ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・78
２．７．１ リモートプラズマＣＶＤ
２．８ ガスの安全性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・79
３． スパッタリング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・８２ 圷 繁
３．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
３．２ 光ディスク ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・82
３．３ 単層膜用スパッタリング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・84
３．４ スパッタ源 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・86
３．５ 装置の高速化 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・89
３．６ さいごに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・89
４．電子サイクロン共鳴プラズマスパッタ装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・９０ 廣野 滋
４．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・90
４．２ ＥＣＲプラズマスパッタ装置の原理と成膜装置 ・・・・・・・・90
４．２．１ ＥＣＲスパッタ法の成膜原理
４．２．２ 最近のＥＣＲ成膜装置
４．３ 高品質薄膜の形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・93
４．３．１ 酸化膜
４．３．２ 窒化膜（絶縁膜）
４．３．３ 金属膜
４．３．４ カーボン膜
４．４ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・100
５． イオンプレーティング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０１ 安岡 学
５．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 101
５．２ プラズマガンの特性とＨＣＤイオンプレーティング装置・・103
５．３ ＨＣＤイオンプレーティング装置の特長と性能 ・・・・・・・105
５．４ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・106
６． アークイオンプレーティング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０８ 玉垣 浩
６．１ ＡＩＰ法による皮膜形成の原理 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・108
６．２ ＡＩＰ装置とその発展 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・110
６．２．１ ＡＩＰ装置
６．２．２ マクロパーティクル制御
６．２．３ 円筒ターゲット型ＡＩＰ装置
６．２．４ インライン型ＡＩＰ装置
６．２．５ 複合型ＡＩＰ装置
６．３ ＡＩＰ法の応用事例 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・113
６．３．１ 切削工具への応用
６．３．２ 自動車部品への応用
７．熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１１５ 寺山暢之
７．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・115
７．２ 装置の原理と構成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・115
７．２．１ ＰＩＧ－ＰＥＣＶＤ装置の構成
７．２．２ プラズマの安定化
７．２．３ 基板のバイアス方法
７．３ ＤＬＣの厚膜コーティング技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・119
７．３．１ 成膜方法
７．３．２ 密着性
７．３．３ シリコン添加の効果
７．４ トライボロジー特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・120
７．５ まとめ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・122
８． プラズマエッチング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１２３ 中野博彦，平本道広
８．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・123
８．２ トルネードＩＣＰ－エッチング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・123
８．３ プラズマエッチングの基礎－シリコンを中心にして－ ・・・125
８．４ 難削材料のエッチング ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・127
８．４．１ 石英エッチング
８．４．２ 化合物半導体への応用
８．４．３ 白金エッチング
８．５ 今後の展望 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・129
９． プラズマイオンプレーティング装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１３１ 粟井 清，酒見俊之
９．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・131
９．２ 高安定プラズマイオンプレーティング法 ・・・・・・・・・・・・・・131
９．３ 膜特性 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・134
９．４ 大面積基板への高速成膜技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・136
９．５ むすび ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・138
第４章 イオンビーム装置
１． イオン注入装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１４０ 松田耕自
１．１ イオン注入装置の機能と構成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・140
１．２ イオン注入装置発展の経緯 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・141
１．３ 中電流イオン注入装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・141
１．３．１ 装置の仕様
１．３．２ イオン源部
１．３．３ イオン質量分析部
１．３．４ イオン加速部
１．３．５ ビームライン部
１．３．６ イオン注入室部
１．３．７ 主制御部
１．４ 大電流イオン注入装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・145
１．４．１ イオン源およびイオン引き出し部
１．４．２ イオン質量分析部
１．４．３ イオン注入室部
１．４．４ 制御部
１．５ 高エネルギーイオン注入装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・146
１．５．１ ＲＦ型加速
１．５．２ 静電型加速
２． 集束イオンビーム装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１４８ 八坂行人
２．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・148
２．２ ＦＩＢ装置の構成と機能 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・149
２．３ 応用例 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・150
２．３．１ 断面ＳＩＭ像観察
２．３．２ ＴＥＭ試料作製
２．３．３ 断面測長
２．３．４ 三次元ナノ立体構造
２．４ まとめ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・153
３． プラズマソースイオン注入装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５５ 馬場恒明
３．１はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・155
３．２PSII法の原理 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・155
３．３PSII装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・157
３．４PSII法に関する研究 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・158
３．５おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・160
４． イオンビームスパッタ装置 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１６２ 石川 靖，清野知之
４．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・162
４．２イオンビームスパッタ?屬瞭団? ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・163
４．３ イオンビームスパッタ装置の問題点 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・165
４．４ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・168
機能材料応用編
第５章 イオン注入による表面機能材料 岩木正哉
１． イオン注入の概要 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７１
２． イオン注入装置の構成と特色 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７２
３． 注入イオンの深さ分布 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７３
４．表面の高機能化事例 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７４
５． 金属へのイオン注入 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７６
６． ダイナミックミキシングとＰＢＩＩ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７８
７． イオン注入の利用法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１８０
第６章 薄膜誘電体材料 田中克彦
１． 強誘電体薄膜・高誘電率薄膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１８２
１．１ スパッタリング法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・183
１．２ ＭＯＣＶＤ法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・185
１．３ エピタキシャル成膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・187
１．４ 応用例 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・188
２． ＰＺＴ薄膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１８９
２．１ スパッタリング法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・191
２．２ＭＯＣＶＤ法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・191
２．３ エピタキシャル成膜 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・192
２．４ 応用例 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・193
第７章 ダイヤモンドおよび関連材料
１．半導体ダイヤモンドの電子素子応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１９５ 橘 武史
１．１ 緒言 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・195
１．２ ダイヤモンド薄膜の気相合成技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・196
１．３ ダイヤモンドを用いた電子素子 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・203
１．４ 結言 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・208
２． ＤＬＣ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２１１ 中東孝浩
２．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・211
２．２ ＤＬＣの特徴・製法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・211
２．３ ＤＬＣの用途開発 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・213
２．４まとめ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・220
３． プラズマジェットを用いるフッ素を含むガスからのｃＢＮの合成 ・・・・・・・・・・・２２２ 松本精一郎
３．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222
３．２ 合成法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・222
３．３ 膜の生成状況と性状 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・223
３．４ 本プロセスの特徴 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・228
３．５ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・228
４． 窒化炭素 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３０ 青井芳史
４．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・230
４．２ 窒化炭素 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・230
４．３ 窒化炭素薄膜の合成技術 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・232
４．４ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・236
５．炭窒化ホウ素 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３９ 大竹尚登
５．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・239
５．２ Ｂ－Ｃ－Ｎ膜の合成と評価 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・240
５．３ まとめ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・245
第８章 フラーレン 三重野 哲
１． 合成方法 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２４８
２． 合成過程 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２４９
３． フラーレンファミリーの合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２５２
３．１ 金属内包フラーレンの合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・252
３．２ 炭素ナノオニオンの合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・252
３．３ 炭素ナノカプセルの合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・252
４． 高効率合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２５３
５． 誘導体のプラズマ合成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２５３
６． フラーレンの応用 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２５４
第９章 光機能材料
１．透明導電性材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２５６
１．１ ＳｎＯ２系 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・256 菊地直人，草野英二
１．１．１ ＳｎＯ２
１．１．２ ＳｎＯ２系薄膜の作製プロセス
１．１．３ ＳｎＯ２系薄膜の物性
１．１．４ おわりに
１．２ ＺｎＯ系 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・265 菊地直人，草野英二
１．２．１ ＺｎＯ
１．２．２ ＺｎＯ系薄膜の作製プロセスと物性
１．２．３ ＺｎＯへの?V属元素のドーピングとそのキャリア生成効率
１．２．４ おわりに
１．３ ＩＴＯ薄膜の低温形成 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・273 臼杵辰朗，小倉盛生
１．３．１ はじめに
１．３．２ ＩＴＯの作製方法
１．３．３イオンビームスパッタリング法
１．３．４ 成膜条件と膜特性
１．４ 新規透明導電性材料系 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・278 細野秀雄
１．４．１ 深紫外透明β-Ga2O3薄膜
１．４．２ バイポーラーCulnO2を用いたp-nホモ接合
１．４．３新しい透明p型導電性薄膜：LaCuOS
１．４．４ ヘテロエピタキシャルp-n接合をベースとしたUV-LED
２． 光触媒材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２８６ 安保正一，竹内雅人
２．１ 紫外線のみでなく可視光の照射でも機能する酸化チタン光触媒開発の意義 ・・286
２．２ 可視光の照射でも機能する酸化チタン光触媒 ・・・・・・・・・・・・287
３． 光学薄膜材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２９４ 小川倉一
３．１ はじめに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・294
３．２ 光学薄膜形成プロセスにおけるイオン・プラズマの役割 ・・・・294
３．２．１ イオンのエネルギー
３．２．２ プラズマによるその他の効果
３．３ イオン・プラズマを利用した光学薄膜形成装置 ・・・・・・・・・・・296
３．３．１ イオンビームアシス蒸着法（ＩＡＤ法）
３．３．２ プラズマＩＡＤ法
３．４ イオン・プラズマアシスト法による高機能光学薄膜の形成 ・・・299
３．５ おわりに ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・303
第１０章 薄膜積層多層材料 中山 明
１． 緒言 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３０４
２． エレクトロニクス材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３０４
２．１ 誘電体超格子材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・304
２．２ 有機ヘテロ接合光デバイス ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・309
３． 硬質耐摩分野用多層膜（超格子膜）材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３１１
４． 熱電変換材料 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３１３
５． 結言 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３１５
