出版社内容情報
☆IT革命の進行により活発化する半導体生産。次世代の半導体製造について、技術、材料両面における最新の研究開発を詳述！
☆半導体製造技術の権威 大見忠弘教授監修。企業が注目する独創技術を一挙掲載！
☆材料の性能を理論限界まで発揮させる新しい加工、プロセスおよび装置技術。
執筆者一覧（執筆順）
大見忠弘 東北大学 未来科学技術共同研究センター 教授
有門経敏 （株）東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
亀山雅臣 （株）ニコン 精機カンパニー 半導体露光装置事業部
第一設計部 第４開発グループリーダー
上野 巧 （株）日立製作所 日立研究所 材料第一研究部 主任研究員
服部孝司 （株）日立製作所 日立研究所 ULSI研究部
市村國宏 東京工業大学 資源化学研究所 教授
中川 勝 東京工業大学 資源化学研究所 助手
杉田和之 千葉大学 工学部 物質工学科 教授
宮下雅之 ステラケミファ（株） 研究部 マネージャー
海原 竜 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
金本 啓 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
横井生憲 東北大学 未来科学技術共同研究センター
グン・ミン・チョイ 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
森田博志 栗田工業（株） プラント・サービス事業本部 開発部 チームリーダー
野路伸治 （株）荏原製作所 精密・電子事業本部 精密機器事業部 開発部長
平山昌樹 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
犬石昌秀 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ 部長
伊藤博巳 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ グループマネージャ
柏原慶一朗 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ 主事
常峰美和 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ 主事
奥平智仁 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ 主事
油谷明栄 三菱電機（株） ULSI技術開発センター 先端デバイス開発部 高誘電体開発グループ 担当
石丸 泰 真空冶金（株） 技術統括営業本部 取締役
斎藤 茂 真空冶金（株） 営業本部
須川成利 東北大学大学院 工学研究科 助教授
辰巳 徹 日本電気（株） シリコンシステム研究所 主管研究員
河野正彦 ダウ・ケミカル日本（株） 電子材料事業本部 市場開発部長
関根克行 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
一石武宏 キャボット・スペシャルティ・ケミカルズ・インク 電子材料事業部
白井泰雪 東北大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
構成および内容
第１章 総論 大見忠弘
１．はじめに
２．ウルトラクリーンテクノロジー提唱と確立
３．新しいプロセスの創出：狙いすましたラジカル発生
４．ラジカル発生：シリコン表面の低温超高品質直接酸化・直接窒化
４．１ 原子状酸素による低温高速高品質酸化
４．２ 原子状酸素による（１１１）面酸化
４．３ ＮＨ＊ラジカルによるシリコン表面直接窒化
５．半導体製造プロセス技術の展望
６．おわりに
第２章 半導体製造プロセスと材料 有門経敏
１． はじめに
２．リソグラフィ技術
３．トランジスタ技術
３．１ ゲート絶縁膜
３．２ メタルゲート
３．３ 極浅拡散層形成
３．４ ダマシンゲートプロセス
４．キャパシタ技術
５．多層配線技術
５．１ 配線材料
５．２ 低誘電率層間絶縁膜
６．地球環境技術
７．おわりに
第３章 リソグラフィ技術
１．リソグラフィ技術 亀山雅臣
１．１ はじめに
１．２ リソグラフィ概論
１．３ リソグラフィ技術
１．４ 光リソグラフィ
１．４．１ ArF露光装置
１．４．２ F2露光装置
１．４．３ F2以短の光露光装置
１．５ 電子線リソグラフィ
１．５．１ EBDW:電子ビーム直接描画方式
１．５．２ EPL
１．６ 等倍Ｘ線リソグラフィ
１．７ EUVリソグラフィ
１．８ イオンビームリソグラフィ
１．９ おわりに
２．フォトレジスト
２．１ 微細化に向けてのフォトレジスト 上野巧、服部孝司
２．１．１ はじめに
２．１．２ リソグラフィの動向とレジスト
２．１．３ g線(436nm)ｉ線（365nm）用リソグラフィ露光装置／g線(436nm)ｉ線(365nm)用レジスト
２．１．４ Deep-UV（＜300nm）用リソグラフDeep-UV用露光装置／Deep-UV用レジスト
２．１．５ ArF（193nm）リソグラフィArF用露光装置／ArF用レジスト
２．１．６ F2レーザリソグラフィ露光装置／レジスト材料
２．１．７ X線リソグラフィ等倍X線照射装置／X線レジスト／EUV(Extreme UV: 13nm)用装置／EUV用レジスト
２．１．８ 電子線リソグラフィ電子線描画装置／電子線レジスト
２．１．９ まとめ
２．２ 酸増殖型フォトレジストの開発 市村國宏
２．２．１ はじめに
２．２．２ レジストと感度
２．２．３ 増幅と増殖
２．２．４ 酸増殖剤
２．２．５ 固体高分子中における強酸の挙動
２．２．６ 酸増殖型フォトレジスト
２．２．７ おわりに
２．３ 表層イメージング－波長より微細なパターン形成を目指して－ 杉田和之
２．３．１ パターンの微細化とフォトレジストの解像限界
２．３．２ ３層レジストと化学増幅３層レジストプロセスとその長所短所／化学増幅レジストとその問題点
２．３．３ ２層レジスト上層レジストのパターニング後シリル化／Si含有レジストを用いた２層レジスト
２．３．４ 表層イメージング露光部または未露光部の選択的なシリル化／均一なシリル化後のパターニング／化学増幅CA）をと
りいれた表層イメージング
２．３．５ ２層レジストと表層イメージングの問題点
２．４ 集積回路の作製を目指した単分子膜レジストによる微細加工 中川 勝、市村國宏
２．４．１ はじめに
２．４．２ 単分子膜レジスト
２．４．３ 水系での単分子膜パターンニング
２．４．４ おわりに
第４章 エッチング技術
１．酸化膜精密エッチング技術 宮下雅之
１．１ はじめに
１．２ ウェットエッチングを支配するパラメーター
１．３ シリコン酸化膜の精密エッチング
１．４ 次世代のエッチング剤
１．５ おわりに
２．BEDマグネトロンプラズマエッチング技術 海原 竜
２．１ はじめに
２．２ BEDマグネトロンプラズマ
２．３ ダメージフリーエッチング技術
２．４ おわりに
第５章 ウルトラクリーンイオン注入技術 金本 啓
１．イオン注入と低温アルコール
２．ベアシリコン表面イオン注入
－酸化膜スルーイオン注入は使えない－
３．ウルトラクリーンイオン注入－徹底的な汚染の低減－
４．新たなリーク電流の原因
－基板のドーパントに絡んだ欠陥－
５．まとめ
第６章 洗浄技術
１．低環境負荷型シリコン基板洗浄技術 大見忠弘、横井生憲、グン・ミン・チョイ
１．１ はじめに
１．２ RCA洗浄とその問題点
１．３ 次世代洗浄技術の条件
１．４ 全４工程室温洗浄技術
１．５ ガス溶解洗浄水供給技術
１．６ おわりに
２．超純水および機能水の製造供給技術 森田博志
２．１ はじめに
２．２ 超純水製造供給技術
２．３ 機能水製造供給および洗浄技術概要／水素水／オゾン水／ガス熔解機能水の純度
第７章 低環境負荷型真空排気システム 野路伸治
１．はじめに
２．ドライ真空ポンプ
２．１ 作動原理
２．２ 省エネルギー型ドライ真空ポンプ
２．３ 省排気管型ドライ真空ポンプ
２．３．１ 背圧制御型
２．３．２ 高背圧型
３．バルブ付きターボ分子ポンプ
４．ポンプ前トラップ
４．１ 構成と運転方式
４．２ 生成物の補足効率と洗浄効率
４．３ シールの耐久性
５．おわりに
第８章 マイクロ波励起高密度プラズマ直接酸化技術 平山昌樹
１．はじめに
２．Kr/O２ マイクロ波プラズマを用いた低温酸化技術
３．(111)面上への高品質酸化膜形成
４．シャロートレンチアイソレーションへの応用
５．おわりに
第９章 次世代DRAM用ペロブスカイト誘電体キャパシター
犬石昌秀、伊藤博巳、柏原慶一郎、常峰美和、奥平智仁、油谷明栄
１．はじめに
２．DRAMキャパシター用ペロブスカイト
３．ペロブスカイトキャパシターの集積化
４．スケーラビリティー
５．まとめと今後の課題
第10章 電極・配線形成技術
１．高純度スパッタリングターゲット 石丸 泰、斎藤 茂
１．１ はじめに
１．２ スパッタリング材料の動向
１．２．１ Cu配線用材料動向
１．２．２ 電極材動向
１．２．３ スパッタリング材料と周辺技術の動向
１．３ 高純度ターゲット材料と周辺技術
１．３．１ Cu配線用材料
１．３．２ 電極材料
１．３．３ 防着処理技術
１．４ ターゲット材料の今後の課題
２．高信頼性配線技術 須川成利
２．１ はじめに
２．２ マイグレーション耐性に優れた低抵抗高信頼性Cu配線
２．３ 温度上昇を抑制する熱スルーホールの導入
２．４ おわりに
第11章 絶縁膜形成技術
１．プラズマCVDによる低誘電率絶縁膜堆積技術 辰巳 徹
１．１ はじめに
１．２ 実験
１．２．１ a-C:F膜の各分極成分の算出
１．２．２ a-C:Fを用いた多層配線の形成
１．３ 結果および考察
１．３．１ a-C:H膜の比誘電率
１．３．２ a-C:F膜の比誘電率
１．３．３ a-C:Fを用いた多層配線の作製
１．４ おわりに
２．塗布系低誘電率層間絶縁膜と材料 河野正彦
２．１ はじめに
２．２ 半導体用低誘電率材料
２．３ ダウ・ケミカルの低誘電率材料
２．３．１ サイクロテン（BCB）樹脂
２．３．２ 半導体用絶縁材料シルク
２．３．３ k≦2.0材料の開発
２．４ おわりに
３．マイクロ波励起高密度プラズマ直接窒化技術 関根克行
３．１ はじめに
３．１．１ ゲート酸化膜の薄膜化限界と新しいゲート絶縁膜材料導入の必要性
３．２ バッファ層としての極薄絶縁膜の必要性
３．３ 次世代ゲート絶縁膜およびバッファ層としてのシリコン窒化膜の可能性
３．４ 結論
第12章 CMP用研磨液（スラリー） 一石武宏
１．はじめに
２．ILD用スラリー
３．メタルCMP用スラリー
３．１ 概要
３．２ W CMP用スラリー
３．３ AI CMP用スラリー
３．４ Cu用スラリー
４．まとめと今後の課題
第13章 超高純度半導体ガス製造供給技術 白井泰雪
１．はじめに
２．酸化クロム不働態処理技術
３．小型・集積化ガスシステム
４．フィードフォワード制御を可能とするガス供給システム
５． まとめ
-
- 和書
- 教科書検定崩壊！
