内容説明
本書は大学の工学部の低学年で半導体を学ぶ学生および高専の学生を対象に、半導体工学の基礎をわかりやすく記述する。構成としては、第１章から３章まででシリコン半導体物性の基本について記述し、第４章から実際のデバイスに関連した電気特性やデバイスの原理と動作特性について記載しています。
目次
第１章 半導体結晶
第２章 エネルギー帯図
第３章 半導体のキャリヤ
第４章 ｐｎ接合とｐｎ接合ダイオード
第５章 金属と半導体の接触
第６章 バイポーラトランジスタ
第７章 ＭＯＳ電界効果トランジスタ
著者等紹介
清水博文［シミズヒロフミ］
１９４５（昭和２０）年１月１１日生。１９６７（昭和４２）年名古屋工業大学金属工学科卒業、１９７２（昭和４７）年東北大学大学院工学研究科博士後期課程金属材料工学専攻終了、１９７３（昭和４８）年日立製作所入社、シリコン（Ｓｉ）半導体集積回路プロセスにおけるＳｉ基板・絶縁膜形成に関する技術開発に従事。１９９９（平成１１）年日本大学教授となり、工学部電気電子工学科に勤務して１９９２（平成４）年熊本大学大学院自然科学研究科博士課程単位取得満期退学。、現在に至る。工学博士。専門はＳｉ半導体デバイスプロセス技術、格子欠陥、Ｓｉ結晶工学
星陽一［ホシヨウイチ］
１９５１（昭和２６）年１１月１８日生。１９７４年（昭和４９）新潟大学工学部電子工学科卒業、１９７６（昭和５１）年東京工業大学大学院修士課程電気工学専攻終了、同年東京工業大学工学部助手、１９８４（昭和５９）年東京工芸大学工学部講師、１９８９年（平成元年）同助教授、１９９９（平成１１）年同教授となり、現在に至る。一貫してスパッタ法による薄膜作製技術の開発とその各種薄膜形成への応用に関する研究に従事。工学博士。専門は薄膜工学、電子材料
池田正則［イケダマサノリ］
１９６０（昭和３５）年７月１１日生。１９８３（昭和５８）年、日本大学理工学部電子工学科卒業。１９８５（昭和６０）年、日本大学大学院理工学研究科博士前期課程電子工学専攻修了。同年、富士通株式会社入社。半導体集積回路プロセスの開発・製造に従事。１９９０（平成２）年より、日本大学工学部電気工学科（現電気電子工学科）助手。１９９５（平成７）年専任講師、２００２（平成１４）年助教授となり、現在に至る。工学博士。専門はシリコン（Ｓｉ）表面、半導体材料
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hisako
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