信頼性技術叢書<br> LSIの信頼性

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信頼性技術叢書
LSIの信頼性

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  • サイズ A5判/ページ数 183p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784817193636
  • NDC分類 549.7
  • Cコード C3050

目次

第1章 LSI信頼性保証概論
第2章 トランジスタ系の信頼性
第3章 LSI配線の信頼性
第4章 静電気破壊現象
第5章 故障解析
第6章 寿命データ解析

著者等紹介

二川清[ニカワキヨシ]
1949年大阪市生まれ。大阪大学大学院基礎工学研究科修士課程修了。工学博士。1974年‐2009年、日本電気(株)他にて半導体の信頼性・故障解析技術の研究開発と実務に従事。現在、大阪大学大学院情報科学研究科特任教授、金沢工業大学大学院工学研究科客員教授、芝浦工業大学工学部非常勤講師

塩野登[シオノノボル]
1947年生まれ。東北大学大学院工学研究科修士課程修了、工学博士。NTT LSI研究所を経て、現在、(財)日本電子部品信頼性センター理事、日本大学大学院理工学研究科電子工学専攻非常勤講師

横川慎二[ヨコガワシンジ]
1970年生まれ。電気通信大学大学院修士課程修了。博士(工学)。現在、ルネサスエレクトロニクス(株)、デバイス・解析技術統括部先端デバイス開発第二部チームマネージャー。日本信頼性学会2003年高木賞、IEEE Reliability Society Japan Chapter Awards 2007年論文賞、日本信頼性学会第22回秋季信頼性シンポジウム優秀賞など

福田保裕[フクダヤスヒロ]
1953年大阪市生まれ。1977年、名古屋工業大学電気工学科卒業、沖電気工業(株)入社、半導体事業部生産技術、メモリ設計、信頼性技術を経て、研究本部プロセス研究部長。2005年、沖エンジニアリング(株)へ信頼性設計事業部長として転籍。2010年サムスン電子LCD事業部へ入社。主な静電気破壊研究活動は、1983年半導体デバイスの静電気破壊、パッケージ帯電モデル、試験方法の提案

三井泰裕[ミツイヤスヒロ]
1944年生まれ。山梨大学大学院工学研究科修士課程修了。工学博士。(株)日立製作所中央研究所、同半導体事業部、(株)日立ハイテクノロジーズにて計測技術研究開発に従事後、現在、半導体デバイス解析コンサルタント。日刊工業新聞十大新製品賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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