電子デバイスの基礎と応用

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電子デバイスの基礎と応用

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  • サイズ A5判/ページ数 235p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784782855553
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

目次

第1部 電子基礎デバイス(情報・通信と電子デバイス;固体のエネルギーバンドと電子の分布;半導体中での電子、正孔の流れと生成、再結合;pn接合とショットキー接合;バイポーラ・トランジスタ;MOSFET)
第2部 電子応用デバイス(電荷結合デバイスとイメージ・センサ;メモリ、記録;ディスプレイ;3‐5族化合物半導体;通信マイクロ波デバイス;光デバイス;集積回路:IC(Integrated Circuit))

著者等紹介

長谷川文夫[ハセガワフミオ]
1963年東北大学工学部電子工学科卒業。1965年東北大学大学院工学研究科電子工学専攻修士課程修了、日本電気(株)中央研究所入社。1973年工学博士(東北大学)、英国シェッフィールド大学研究員。1978年日本電気(株)中央研究所電子デバイス研究部研究課長。1981年筑波大学物質工学系助教授。1988年筑波大学物質工学系(後に物理工学系)教授。2004年工学院大学電子工学科教授。現在、筑波大学名誉教授

本田徹[ホンダトオル]
1988年東京理科大学理工学部物理学科卒業。1993年東京工業大学総合理工学研究科物理情報工学専攻博士課程修了、博士(工学)、東京工業大学精密工学研究所助手。1996年工学院大学工学部電子工学科専任講師。2000年工学院大学工学部電子工学科助教授。2006年工学院大学工学部情報通信工学科教授。現在、工学院大学工学部情報通信工学科教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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