出版社内容情報
半導体製造で用いられるエッチングに焦点を当て、プラズマエッチング、ウェットエッチング、プラズマダメージ、シミュレーション、原子層エッチング、金属アシストエッチング等、基礎から最新技術までを纏めた一冊。
【目次】
第1章 半導体製造におけるエッチング技術とその動向
1 半導体プラズマエッチングの基礎と発展
1.1 はじめに
1.2 プロセスプラズマ
1.2.1 気相反応による活性種の生成
1.2.2 表面反応―化学スパッタリングと化学支援物理スパッタリング
1.3 エッチング技術における重要な概念
1.3.1 ドライエッチングの分類とエッチング形状
1.3.2 方向性加工の原理
1.4 プラズマエッチングの発展
1.5 課題と展望
1.6 おわりに
2 先端半導体デバイスの動向とエッチングの最新技術
2.1 先端ロジック半導体のトレンド
2.2 先端ロジックにおけるエッチングの課題と取組
2.2.1 Si/SiGe finエッチング
2.2.2 WFM形成プロセス
2.2.3 HK/WFMリセス
2.3 まとめ
第2章 ウェットエッチング
1 ウェットエッチングの基礎と不良対策
1.1 はじめに
1.2 ウェットエッチングの基本プロセス
1.3 エッチングプロセス
1.3.1 エッチング機構
1.3.2 レジストマスク形成
1.3.3 レジスト除去
1.4 アンダーカット形状の高精度化
1.4.1 アンダーカット異常
1.4.2 マスク耐性不良
1.4.3 パターン欠陥
1.5 計測技術
1.6 おわりに
2 半導体材料のウェットエッチング加工技術
2.1 半導体材料のウェットエッチングの特徴
2.2 半導体材料の代表的な溶解機構
2.3 半導体材料のウェットエッチング加工事例
2.4 今後の課題に対する取り組み事例
3 単結晶シリコンの異方性ウエットエッチング技術
3.1 はじめに
3.2 単結晶シリコンの異方性エッチング
3.2.1 結晶異方性エッチング
3.2.2 シリコン基板及びエッチング液
3.2.3 エッチング速度分布
3.2.4 エッチピット及びマイクロピラミッドの発生
3.3 結晶異方性エッチングによるMEMS構造体
3.4 おわりに
4 GaNウエットエッチング
4.1 はじめに
4.2 GaNの陽極酸化
4.3 陽極酸化を用いたGaNウエットエッチングのデバイスプロセスへの応用
第3章 プラズマエッチング
1 エッチングに用いられるプラズマ源とプラズマ制御
1.1 反応性イオンエッチングとは
1.2 なぜ反応性イオンエッチング
