目次
第１章 ＳｉＣ（ＳｉＣ―可能性とその特徴；ＳｉＣ単結晶基板の高品質化技術；ＳｉＣエピタキシャル薄膜の多形制御技術；ＳｉＣパワーＭＯＳＦＥＴの開発；Ｓｕｐｅｒ‐ＳＢＤ；ＳｉＣ‐ＭＯＳＦＥＴの信頼性および動作時のノイズ低減；高性能４Ｈ‐ＳｉＣＳＢＤ、ＭＯＳＦＥＴの開発と高温動作ＳｉＣＩＰＭ；ＳｉＣ接合型／静電誘導型（ＳｉＣ‐ＪＦＥＴ／ＳＩＴ）トランジスタ）
第２章 ＧａＮ（ＧａＮ―可能性とその特徴；窒化物半導体の特性と評価；Ｓｉ基板上ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；超高耐圧ＡｌＧａＮ／ＧａＮパワーデバイス；薄層ＡｌＧａＮ構造を用いたＧａＮパワーデバイス）
第３章 ダイヤモンド半導体（材料；デバイス）
第４章 応用編（次世代モーダルシフト；情報通信システム用電源）
著者等紹介
大橋弘通［オオハシヒロミチ］
（独）産業技術総合研究所エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボプロジェクトマネージャー（招聘研究員）
木本恒暢［キモトツネノブ］
京都大学工学研究科電子工学専攻教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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