はじめての半導体ドライエッチング技術

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  • サイズ A5判/ページ数 162p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784774149400
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

目次

1章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
2章 ドライエッチングのメカニズム
3章 各種材料のエッチング
4章 ドライエッチング装置
5章 ドライエッチングダメージ
6章 新しいエッチング技術
7章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望

著者等紹介

野尻一男[ノジリカズオ]
1973年群馬大学工学部電子工学科卒業。1975年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。(株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株)入社、取締役・CTOに就任し現在に至る。1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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感想・レビュー

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プラズマエッチングに関して本質的な事が平易な言葉で解説されている。 誤字が多いのと、ECRでのチャージアップダメージを解消した業績を強調しすぎか。2016/03/04

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