目次
1章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
2章 ドライエッチングのメカニズム
3章 各種材料のエッチング
4章 ドライエッチング装置
5章 ドライエッチングダメージ
6章 新しいエッチング技術
7章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望
著者等紹介
野尻一男[ノジリカズオ]
1973年群馬大学工学部電子工学科卒業。1975年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。(株)日立製作所入社。半導体事業部にてCVD、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にECRプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。2000年ラムリサーチ(株)入社、取締役・CTOに就任し現在に至る。1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
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