はじめての半導体ドライエッチング技術

野尻 一男【著】

技術評論社（2012/01発売）

• サイズ A5判／ページ数 162p／高さ 21cm
• 商品コード 9784774149400
• NDC分類 549.8
• Cコード C3055

目次

１章　半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
２章　ドライエッチングのメカニズム
３章　各種材料のエッチング
４章　ドライエッチング装置
５章　ドライエッチングダメージ
６章　新しいエッチング技術
７章　ドライエッチング技術の今後の課題と展望

著者等紹介

野尻一男［ノジリカズオ］
１９７３年群馬大学工学部電子工学科卒業。１９７５年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。（株）日立製作所入社。半導体事業部にてＣＶＤ、デバイスインテグレーション、ドライエッチングの研究開発に従事。特にＥＣＲプラズマエッチング、チャージアップダメージに関して先駆的な研究を行った。また技術開発のリーダーとして数々のマネージメントを歴任。２０００年ラムリサーチ（株）入社、取締役・ＣＴＯに就任し現在に至る。１９８９年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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感想・レビュー

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プラズマエッチングに関して本質的な事が平易な言葉で解説されている。 誤字が多いのと、ECRでのチャージアップダメージを解消した業績を強調しすぎか。

2016/03/04