内容説明
エンジニアがあらたに生じる問題に切り込むためには、「なぜそうなるのか」までを含め、現象をできるだけ単純なモデルで理解しておく必要がある。本書では、模式図を豊富に用いて、シリコン結晶やウェーハに関する一般的な基礎をできるだけわかりやすく記述した。
目次
第１章 シリコンとデバイスの概論（シリコン結晶およびウェーハ概論；デバイス概論）
第２章 ウェーハの結晶欠陥とデバイス（結晶欠陥とリーク電流；結晶欠陥の形成 ほか）
第３章 ウェーハの機械的性質とプロセス（転位、不純物と機械的性質；ウェーハに生じる熱応力と強度 ほか）
第４章 ウェーハのトポグラフィとプロセス、デバイス（ナノトポグラフィ；平坦度 ほか）
第５章 今後のウェーハ動向（（１１０）ウェーハ
次世代大口径ウェーハ ほか）
著者等紹介
福田哲生［フクダテツオ］
１９８１年慶應義塾大学大学院工学研究科修了、富士通（株）に入社しシリコン結晶および半導体プロセス技術の開発に従事。１９９７年工学博士。２００１年ＳＥＭＩ（国際半導体装置・材料協会）よりＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｌｌａｂｏｒａｔｉｏｎ Ａｗａｒｄを受賞。現在、電子デバイス事業本部の特許推進部長として先端デバイスの開発支援業務に従事。また、２００１年より（社）電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ）の次世代ウェーハ技術専門委員会の委員長を務める（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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