内容説明
フラッシュメモリは日本発の技術であり、安く、軽く、低消費電力で、信頼性が高く、かつ電源を切っても書込まれた記憶を保持し続ける特徴を持つ。このため、いまではディジタルカメラ、携帯電話等、家庭電化機器のほとんどの製品に使われている。本書では今後急成長が確実である高密度フラッシュメモリの発明者である著者が、本メモリの理論から応用までを詳述する。
目次
第１章 半導体メモリ
第２章 フラッシュメモリ
第３章 ＮＯＲ型フラッシュメモリ
第４章 ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ
第５章 高密度３次元フラッシュメモリ
第６章 ＮＯＲ型フラッシュメモリとＮＡＮＤ型フラッシュメモリの比較
第７章 フラッシュメモリの将来
著者等紹介
舛岡富士雄［マスオカフジオ］
１９７１年東北大学大学院工学研究科電子工学博士課程修了。工学博士。１９７１年（株）東芝総合研究所入社。（株）東芝研究開発センターＵＬＳＩ研究所第３研究所所長を経て、現在東北大学電気通信研究所教授。２層多結晶シリコンを用いたＥＰＲＯＭの発明で昭和５５年度全国発明表彰発明賞。昭和５３年度第１回渡辺賞。そのほかフィールドシールド、多層配線、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ回路及びフラッシュＥＥＰＲＯＭ等の発明で関東地方発明表彰発明奨励賞５回受賞。ＩＥＥＥ １９９７ Ｔｈｅ Ｍｏｒｒｉｓ Ｎ，Ｌｉｅｂｍａｎｎ Ｍｅｍｏｒｉａｌ Ａｗａｒｄ、大容量ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発とその応用分野の開拓により２０００年市村産業賞本賞、２００２年にはＳＳＤＭ Ａｗａｒｄ受賞。最近ではフラッシュＥＥＰＲＯＭ及びＮＡＮＤ型ＥＥＰＲＯＭの発明者として知られる
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