内容説明
インターネット、iモード携帯電話、携帯端末などIT機器の進展はめざましい。そしてこれらを蔭で支えているのが高速化をつづける化合物半導体デバイス。本書は、未知の要素が多かったこのデバイスをいち早く工業化し、専門会社までも設立した著者らが自らの体験を交えながら、デバイスの登場背景、構造、特徴、特性、応用、今後の展望などをやさしくまとめたものである。一つの技術をめぐる熱いドラマが集約されている。
目次
第1章 インターネットと私たち
第2章 半導体デバイスと私たち
第3章 光を出したり受けたりする“光半導体デバイス”
第4章 電波を出したり受けたりする“マイクロ波半導体デバイス”
第5章 化合物半導体デバイスはインターネットのどこに使われているのだろう
付章 “化合物今昔物語”
著者等紹介
福田益美[フクタマスミ]
1959年岐阜県立本巣高等学校卒業。1963年名古屋工業大学電気工学科卒業。1963年神戸工業(株)入社。1968年会社合併により富士通(株)所属。1977年工学博士。1996年富士通常務理事。現在、富士通カンタムデバイス(株)代表取締役社長。専門分野、Si高周波高出力トランジスタ、GaAs高出力FET、HEMT、GaAsLSI光半導体など化合物半導体デバイスの開発と事業化に従事。受賞・表彰歴、1975年科学技術庁第一回研究功績者表彰。1987年発明協会特許庁長官賞。1988年発明協会経団連会長賞。同年米国IEEE MTT学会よりMicrowave Application Award受賞
平地康剛[ヒラチヤスタケ]
1963年東京都立三鷹高等学校卒業。1968年東京農工大学電気工学科卒業。1970年東京農工大学大学院修士了。1970年東京工業大学助手。1971年(株)富士通研究所入社半導体研究部所属。1979年工学博士。1991年オリンパス光学工業(株)入社。1998年富士通カンタムデバイス(株)入社。現在、マイクロ波グループ担当部長(兼)東京工業大学客員教授。専門分野、インパットダイオード、GaAsFET、HEMT、ミリ波無線モジュールなどマイクロ波半導体デバイスの開発。受賞・表彰歴、1978年(財)半導体研究振興会より渡辺記念研究奨励賞。1989年(財)市村記念財団より第21回市村賞功績賞
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