超ＬＳＩ技術〈１７〉デバイスとプロセス その７

西沢 潤一【編】

工業調査会（1993/08発売）

• サイズ B5判／ページ数 344p／高さ 28cm
• 商品コード 9784769311133
• NDC分類 549.8
• Cコード C3055

内容説明

本書では、微細化、高集積化に向けた各プロセスを基礎から見直し、今後の開発方向を考えることを目的とした。

目次

１　赤外線イメージセンサ技術
２　デバイスシミュレーション技術
３　ＵＨＶ‐ＣＶＤによるＧｅｘＳｉ１－ｘ選択成長およびＨＳＧ‐ｐｏｌｙ　Ｓｉの形成
４　複合磁場によるＥＣＲエッチング技術
５　マグネトロンエッチング技術
６　低ダメージ・低欠陥ドライエッチプロセス
７　Ａｌ配線のストレスマイグレーション
８　タングステンＣＶＤを用いた微細配線形成技術
９　ＣＺ‐Ｓｉ結晶中の軽元素不純物の挙動
１０　分子線散乱法による表面反応解析