目次
第１章 半導体の種類と特徴
第２章 化合物半導体エピタキシャル成長の概要
第３章 液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）とその応用
第４章 有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）とその応用
第５章 分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）とその応用
第６章 ＭＯＶＰＥにおける流量変調エピタキシー（ＦＭＥ）
第７章 ＭＢＥにおけるマイグレーション・エンハンスト・エピタキシー（ＭＥＥ）
第８章 選択エピタキシャル成長法（ＳＡＥ）
第９章 エピタキシャル成長結晶の半導体レーザ（ＬＤ）への応用
著者等紹介
堀越佳治［ホリコシヨシジ］
東北大学工学部電気工学科卒、同大大学院工学研究科電子工学専攻修士課程、博士課程修了。工学博士。ＮＴＴ基礎研究所研究員、ドイツ・マックスプランク固体研究所研究員、北海道大学客員教授、東北大学客員教授を経て、早稲田大学理工学部教授。早稲田大学名誉教授
河原塚篤［カワハラズカアツシ］
早稲田大学理工学部電気・情報生命工学科卒、同大大学院工学研究科修士課程、博士課程修了。博士（工学）。ドイツ・ポール・ドゥルーデ固体研究所博士研究員、早稲田大学高等研究所講師、准教授、早稲田大学各務記念材料技術研究所主任研究員（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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