プラズマ半導体プロセス工学―成膜とエッチング入門

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プラズマ半導体プロセス工学―成膜とエッチング入門

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  • サイズ A5判/ページ数 289p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784753650484
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

内容説明

本書は、プラズマプロセスの基礎を学ぼうとする大学生や大学院生、あるいは企業や研究機関において半導体プロセスに携わる開発者や研究者を対象に、プラズマCVDとエッチング技術の基礎を整理、解説したものである。

目次

第1章 プラズマと半導体プロセス
第2章 半導体プロセス用プラズマの基礎
第3章 半導体プロセス装置の概要
第4章 プラズマCVD技術
第5章 薄膜の評価方法
第6章 プラズマエッチング技術
第7章 付章 プロセシングプラズマを理解するための基礎理論

著者等紹介

市川幸美[イチカワユキミ]
1980年武蔵工業大学大学院電気工学専攻博士課程修了。工学博士。1980年カナダYork大学実験宇宙科学研究センターおよびMcMaster大学物理工学科のポストドクトラルフェロー。1982年米国Wright州立大学Brehm研究所研究員。専攻はプラズマ工学。1983年富士電機(株)入社。総合研究所にてプラズマCVDおよびアモルファス太陽電池の研究開発に、また2000年より同社半導体基盤技術開発部にてウェーハプロセス開発に従事。現在に至る。この間、応用物理学会誌編集委員、プラズマエレクトロニクス研究会幹事、Jpn.J.Appl.Phys.論文編集委員などを歴任

佐々木敏明[ササキトシアキ]
1990年東京大学大学院工学系研究科電気工学専攻修士課程修了。工学修士。2001年学位取得、工学博士。1990年富士電機(株)入社。総合研究所にてアモルファス太陽電池およびプラズマプロセッシングの研究・開発に従事。2001年鐘淵化学工業(株)入社。アモルファスシリコン/薄膜多結晶シリコンハイブリッド太陽電池の研究・開発に従事。現在に至る。1993年から1994年にかけて電子技術総合研究所非平衡材料研究室派遣研究員。専攻はアモルファス太陽電池、プラズマプロセッシング

堤井信力[テイイシンリキ]
1965年東京大学大学院電気工学博士課程修了。工学博士。1965年武蔵工業大学講師、1966年助教授を経て、1974年武蔵工業大学教授(電気電子工学科)、現在に至る。1966年から1968年にかけて、カナダYork大学付属宇宙科学実験研究センター研究員、専攻はプラズマ工学、プラズマプローブ計測。電気学会プラズマ研究専門委員会幹事、委員長、応用物理学会プラズマエレクトロニクス研究会代表幹事など歴任
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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