半導体デバイスの物理

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半導体デバイスの物理

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  • サイズ A5判/ページ数 231p/高さ 21cm
  • 商品コード 9784621082645
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

内容説明

現在の私達の生活は半導体デバイスを抜きにしては考えられない。本書は現在もっとも多く使われているMOSデバイスに重点を置き、半導体表面や界面の電荷の問題を詳述。また、デバイスの物理について量子論的な説明を加えた点に特色がある。記述は出来るだけ平易にし、図表を可能な限り多く使用し、丁寧に読んでいただければ独習でも理解できるように書かれている。

目次

半導体中のキャリアの運動
エネルギーバンドと有効質量
真性半導体と不純物半導体
キャリアの注入とその振舞い
表面、界面と電子準位
p‐n接合とその特性
M‐S接合とその特性
MOS構造とMOS電界効果
MOSダイオードの諸特性と酸化膜および界面の電荷
MOSトランジスタとMOSインバータ〔ほか〕

著者等紹介

岸野正剛[キシノセイゴウ]
福井工業大学工学部電気電子工学科教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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