半導体デバイスの基礎 〈中〉 ダイオードと電界効果トランジスタ

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半導体デバイスの基礎〈中〉ダイオードと電界効果トランジスタ

ベティ・リーズ・アンダーソン/リチャード・Ｌ．アンダーソン
価格 ¥5,280（本体¥4,800）
丸善出版（2012/03発売）
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サイズ A5判／ページ数 p300／高さ 21cm
商品コード 9784621061565
NDC分類 549.8
Cコード C3055

出版社内容情報

本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では、前半において、半導体デバイスの基本中の基本であるダイオード(主としてpn接合)の動作原理と動作特性について、通常の解説では省かれている誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では半導体を用いた代表的な3端子素子である電界効果トランジスタ(FET)の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして、現実的な微細素子の特性に至るまでを論じ、CMOS回路やメモリー(記憶装置)への応用についても簡単に紹介する。