内容説明
本書は、ヘテロ構造によるＳｉ系デバイスの高性能化を目標に、そのための基礎理論からヘテロ材料・製造プロセス・最新のデバイス特性にいたるまでを詳述したものである。近年の半導体デバイス・集積回路のめざましい進歩は、シリコンに負うところが非常に大きく、その状況は今後も変わらないと考えられ、シリコンの枠内で新しい分野を開拓することが強く望まれている。本書はそのような観点でまとめられた初めてのものであり、Ｓｉ系デバイスの研究者・技術者にとって格好の書である。
目次
第１章 シリコン系ヘテロ接合デバイスの意義と研究動向
第２章 半導体ヘテロ接合の性質
第３章 シリコンバイポーラトランジスタの高速化
第４章 シリコンヘテロ材料に要求される性質
第５章 ＳｉＣヘテロエミッタ
第６章 非晶質半導体系ヘテロエミッタ
第７章 シリコン酸化物ヘテロエミッタ
第８章 Ｓｉ‐Ｇｅ系ヘテロ構造
第９章 バンドギャップ縮小効果と擬似ヘテロ接合デバイス
第１０章 新しいヘテロ材料の可能性とその展望
第１１章 ＧａＡｓ系ＨＢＴの最近の進歩
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