内容説明
ＶＬＳＩデバイスは、今日ますます微細化し、ついにサブミクロンの時代に入ったといえよう。それにともないＶＬＳＩデバイスはここにきて、数々の深刻な問題と直面することとなった。本書は、先に刊行された「サブミクロンデバイス１」の続編として、サブミクロンデバイスの抱える最重要課題を根底から詳説するものである。サブミクロンデバイスを本格的に学ぼうとする者にとって、まさに最良の師となる１冊である。
目次
１ 序論
２ 比例縮小則とデバイス性能
３ ゲート絶縁膜の信頼性（ＳｉＯ２膜の電気伝導；界面準位の発生とトラップ；ＳｉＯ２膜の絶縁破壊）
４ ホットキャリア注入現象（ＮＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；ＰＭＯＳトランジスタのホットキャリア現象；基板中への少数キャリア注入；高耐圧、高信頼性ＭＯＳトランジスタ）
５ ソフトエラー（α線による雑音電荷の発生とソフトエラー；ＤＲＡＭにおけるソフトエラー）
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