内容説明
ＶＬＳＩはサブミクロンの時代に入った。現在すでに開発研究も行われ、量産の開始も目前に迫っている。しかし、二次元効果や高電界化の問題、さらには、高集積化されたデバイスの信頼性の確保など、問題点は尽きない。本書では、これらの問題を、ショートチャネルＭＯＳトランジスタの動作原理より説き起こし、サブミクロンデバイスを基礎から本格的に解説しています。
目次
１ ＭＯＳデバイスの基礎（ＭＯＳトランジスタの概要；長チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理；短チャネルＭＯＳトランジスタの動作原理）
２ ＶＬＳＩの基礎（ＶＬＳＩの基本回路；ＶＬＳＩ回路）
３ サブミクロンデバイス（微細形状効果；ＣＭＯＳデバイスとラッチアップ）
