内容説明
本書は、初学者から、大学院生、専門技術者へスムーズに橋渡しのできることを目指した斬新なテキストである。はじめは、エネルギーバンド図を用いずに、空間電荷分布モデルで基本的特性の説明を行い、初学者がそれらのデバイスの全体像を把握できてから、エネルギーバンドを用いたｐｎ接合、ＭＯＳキャパシタ・トランジスタの詳細な説明を行うなど、高度なレベルにも対応できるように工夫している。特徴は、（１）ＭＯＳデバイスの記述に重点をおいたこと、（２）出来るだけ具体的数値を用いて説明していること、（３）例題と問題を充実させ学習の便をはかったこと、などである。
目次
１ 情報化社会を支える半導体デバイス
２ デバイスを理解するための半導体物理の基礎
３ ｐｎ接合ダイオード
４ 金属・半導体接触
５ ＭＯＳキャパシタ
６ ＭＯＳＦＥＴ
７ ＭＯＳ論理ゲート
９ バイポーラ・トランジスタ
９ 化合物半導体高速トランジスタ
１０ 光デバイス
著者等紹介
松本智［マツモトサトル］
１９７１年慶応義塾大学工学部電気工学科卒業。１９７６年慶応義塾大学大学院工学研究科電気工学専攻博士課程修了。工学博士。慶応義塾大学工学部電気工学科助手。現在、慶応義塾大学理工学部電子工学科教授
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