目次
１ シリコンカーバイド（ＳｉＣ）技術の進展
２ ＳｉＣの特徴
３ ＳｉＣ単結晶の結晶成長技術
４ ＳｉＣ単結晶のウェハ加工技術
５ ＳｉＣエピタキシャル成長技術
６ ＳｉＣの評価技術
７ ＳｉＣのプロセス技術
８ デバイス
９ ＳｉＣを用いたシステム
１０ 各分野におけるＳｉＣへの期待
著者等紹介
松波弘之［マツナミヒロユキ］
１９６２年に京都大学工学部卒業、１９６４年京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、京都大学助手。１９７０年工学博士。１９７１年同学助教授、１９７６‐１９７７年ノースカロライナ州立大学客員准教授、１９８３年京都大学教授、２００３年同学名誉教授。２００３年ＪＳＴイノベーションプラザ京都館長。専門は半導体材料工学
大谷昇［オオタニノボル］
１９８４年に東京工業大学修士課程物理学専攻修了。同年、新日本製鐵（株）入社、技術開発本部に勤務。１９９１‐１９９３年英国インペリアルカレッジロンドン博士課程留学（Ｐｈ．Ｄ．）、２００８年に関西学院大学教授に就任。１９９７年日本金属学会技術開発賞受賞、２００７年日経ＢＰ技術賞受賞。専門はＳｉＣ半導体材料の結晶成長並びに欠陥物理学
木本恒暢［キモトツネノブ］
１９８６年京都大学工学部卒業、１９８８年に京都大学大学院工学研究科修士課程修了。同年、住友電気工業（株）伊丹研究社に入社。１９９０年京都大学工学部助手、１９９６‐１９９７年リンチョピン大学物理学科客員研究員。１９９８年京都大学助教授、２００６年京都大学教授。専門は半導体材料、デバイス
中村孝［ナカムラタカシ］
１９９０年にローム株式会社入社、ＬＳＩプロセス開発に従事。１９９６年京都大学から博士（工学）の学位を授与。２００３年から、ＳｉＣパワーデバイス開発に従事し、現在に至る（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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