出版社内容情報
NTTにおける０．８～０．５μｍプロセス開発過程で発生したトラブルとその解決法を中心に、先端のプロセス技術とＬＳＩの故障解析技術を解説。初版を全面改訂し、後工程を追加詳述した。プロセス開発中のトラブルと解決策を具体的に解説した好書。
内容説明
本書では、ＮＴＴにおける０．８～０．５μｍプロセス開発で発生したプロセストラブルを主体に具体的事例を系統的に示すとともに、プロセス技術改良に寄与するＬＳＩの故障解析技術について、現状も含めて一般的に述べた。
目次
第１章 ＬＳＩプロセス技術の概要
第２章 フォトリソグラフィ工程
第３章 基板工程
第４章 配線工程
第５章 ダスト・汚染
第６章 故障解析技術
第７章 後工程
第８章 製造プロセス技術の評価と検討
第９章 これからに向けて
著者等紹介
垂井康夫［タルイヤスオ］
昭和２６年早稲田大学第一理工学部電気工学科卒業、同年工業技術院電気試験所（現電子技術総合研究所）入所、以来、半導体デバイスの研究に従事。昭和４０年同所半導体部品研究室長、昭和５１年より４年間超ＬＳＩ技術研究組合共同研究所所長、昭和５６年東京農工大学電子工学科教授、平成５年同大学定年退官、名誉教授。平成５年早稲田大学理工学研究科客員教授（平１１年まで）。現在、早稲田大学材料研究所特別研究員、武田計測先端知財団常任理事。世界初の発表として昭和４３年電子ビーム露光装置、４４年ショットキＴＴＬ、４５年ＤＳＡＭＯＳトランジスタなどがある。昭和４０年工学博士
小林稔［コバヤシミノル］
日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所において、半導体の研究に従事、トランジスタからＬＳＩにかけて製造面を担当。昭和５７年日本電信電話公社退職。同年ＮＥＬ入社、ＬＳＩの故障解析を担当。平成１０年ＮＥＬ退社。昭和３４年日本大学工学部電気工学科卒業。昭和４９年工学博士
中島蕃［ナカジマシゲル］
ＮＴＴエレクトロニクス株式会社（ＮＥＬ）ＳＡセンターセンター長。昭和４４年金沢大学工学部電気工学科卒業、４６年同大学院修士課程修了、同年、日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所入所。以来、メガビットＤＲＡＭおよびサブミクロン論理ＬＳＩのデバイス技術やＬＳＩの評価・解析技術の研究実用化に従事。平成６年ＮＴＴ退職。同年ＮＥＬ入社
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