出版社内容情報
NTTの最新のVLSI研究開発データのうちMOSデバイス形成プロセスや配線形成プロセスなどVLSIプロセス技術の全てを詳解.◆項目 共通主要プロセス,各種形成プロセス,プロセス後の問題,ダストと欠陥など.
目次
第1章 LSIプロセス技術の概要
第2章 ホトリソグラフィ工程
第3章 基板工程
第4章 配線工程
第5章 ダスト・汚染
第6章 故障解析技術
NTTの最新のVLSI研究開発データのうちMOSデバイス形成プロセスや配線形成プロセスなどVLSIプロセス技術の全てを詳解.◆項目 共通主要プロセス,各種形成プロセス,プロセス後の問題,ダストと欠陥など.
第1章 LSIプロセス技術の概要
第2章 ホトリソグラフィ工程
第3章 基板工程
第4章 配線工程
第5章 ダスト・汚染
第6章 故障解析技術
東京都公安委員会 古物商許可番号 304366100901