出版社内容情報
ＮＴＴの最新のＶＬＳＩ研究開発データのうちＭＯＳデバイス形成プロセスや配線形成プロセスなどＶＬＳＩプロセス技術の全てを詳解．◆項目 共通主要プロセス，各種形成プロセス，プロセス後の問題，ダストと欠陥など．
目次
第１章 ＬＳＩプロセス技術の概要
第２章 ホトリソグラフィ工程
第３章 基板工程
第４章 配線工程
第５章 ダスト・汚染
第６章 故障解析技術
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