半導体デバイスの基礎〈中〉ダイオードと電界効果トランジスタ

アンダーソン，Ｂ．Ｌ．〈Ａｎｄｅｒｓｏｎ，Ｂｅｔｔｙ Ｌｉｓｅ〉/アンダーソン，Ｒ．Ｌ．【著】〈Ａｎｄｅｒｓｏｎ，Ｒｉｃｈａｒｄ Ｌ．〉/樺沢 宇紀【訳】

シュプリンガー・ジャパン（2008/05発売）

• サイズ A5判／ページ数 p300／高さ 22cm
• 商品コード 9784431100294
• NDC分類 549.8
• Cコード C3055

内容説明

本書は半導体デバイスの動作原理と特性を学ぶための実用的・総合的な教科書である。一般の理工系学生を読者として想定し、特別な予備知識を前提とせずに、徹底的に平易なデバイス物理の解説を行う。中巻では、前半において、半導体デバイスの基本中の基本であるダイオード（主としてｐｎ接合）の動作原理と動作特性について、通常の解説では省かれている誘電緩和過程の検討なども含めた十全な説明を与える。後半では半導体を用いた代表的な３端子素子である電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の動作を、基礎的な長チャネルモデルから説き起こして、現実的な微細素子の特性に至るまでを論じ、ＣＭＯＳ回路やメモリー（記憶装置）への応用についても簡単に紹介する。

目次

第２部　ダイオード（理想的なｐｎホモ接合；一般のダイオード；ダイオードに関する補足）
第３部　電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）（ＭＯＳＦＥＴ；ＦＥＴに関する追加的な考察；ＭＯＳデバイスに関する補足）

著者等紹介

樺沢宇紀［カバサワウキ］
１９９０年大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻前期課程修了。（株）日立製作所中央研究所研究員。１９９６年（株）日立製作所電子デバイス製造システム推進本部技師。１９９９年（株）日立製作所計測器グループ技師。２００１年（株）日立ハイテクノロジーズ技師（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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