目次
基礎編（電力変換とパワーデバイス；次世代パワーデバイスへの要求；パワーチップの構造と製造方法 ほか）
結晶編（原子構造と結晶構造；半導体結晶と物性；半導体中の結晶欠陥 ほか）
デバイス編（ＳｉＣパワーデバイス；ＧａＮパワーデバイス；そのほかのワイドギャップ半導体パワーデバイス ほか）
著者等紹介
山本秀和［ヤマモトヒデカズ］
１９７９年北海道大学工学部電気工学科卒業。１９８４年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了（電気工学専攻）。工学博士。三菱電機株式会社勤務。２０１０年千葉工業大学教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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