出版社内容情報
ＳＲＡＭ，ＤＲＡＭ，フラッシュメモリを中心に構造・特徴・用途について，また半導体メモリの製造技術や開発中のメモリについて解説
目次
１ 半導体メモリの位置づけ
２ 半導体メモリの種類と機能およびその用途
３ 大量生産されている汎用メモリ
４ 少量生産あるいは開発中のメモリ
５ 半導体メモリの性能比較と将来の課題
６ 半導体メモリ製造の基礎技術
７ 補遺
著者等紹介
角南英夫［スナミヒデオ］
１９６７年東北大学工学部電子工学科卒業。１９６９年東北大学大学院工学研究科修士課程修了（電子工学専攻）。１９６９年株式会社日立製作所中央研究所入所。１９７３～７４年米国スタンフォード大学電子工学研究所研究助手。１９８０年工学博士（東北大学）。１９９４～９６年Ｈｉｔａｃｈｉ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＵＳ）Ｉｎｃ．出向、Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．勤務。１９９８年広島大学ナノデバイス・システム研究センター教授。２００２年次世代半導体材料技術研究組合技術顧問兼務。２００７年広島大学名誉教授。２００７年広島大学半導体・バイオ融合集積化技術の構築プロジェクト特認教授。１９８５年米国ＩＥＥＥ電子デバイス分科会年間最優秀論文賞（１９８４ Ｐａｕｌ Ｒａｐｐａｐｏｒｔ Ａｗａｒｄ）。１９９１年米国ＩＥＥＥフィールド賞（１９９１ Ｃｌｅｄｏ Ｂｒｕｎｅｔｔｉ Ａｗａｒｄ）。１９９１年関東地方発明奨励賞「溝形キャパシタＤＲＡＭセル」。１９９５年関東地方発明知事賞「ダブルバランスＣＭＯＳセンスアンプ回路」。１９９８年米国ＩＥＥＥ Ｆｅｌｌｏｗ。１９９８年東京都発明研究功労者表彰。２００３年電子情報通信学会フェロー。２００６年米国ＩＥＥＥ Ｊｕｎ‐ｉｃｈｉ Ｎｉｓｈｉｚａｗａ Ｍｅｄａｌ。２００７年応用物理学会フェロー（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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