出版社内容情報
【解説】
本書は最新のエピタキシャル成長に関わるトピックを結晶成長という視点で判りやすく解説する。対象材料はIII-V族、II-VI族化合物半導体、Si半導体、シリサイド、誘電体から有機分子まで多岐にわたる。また、層状成長から量子ドットや量子細線のようなナノ構造までを含め、エピタキシャル成長に関する主なトピックを網羅している。
【目次】
格子不整合系のエピタキシャル成長の欠陥制御・ナノ構造のエピタキシャル成長・磁性半導体のエピタキシャル成長・超LSI周辺におけるエピタキシー・プラズマ励起エピタキシー・巨大分子のエピタキシャル成長
目次
１ 格子不整合系のエピタキシャル成長の欠陥制御
２ ナノ構造のエピタキシャル成長
３ 磁性半導体のエピタキシャル成長
４ 超ＬＳＩ周辺におけるエピタキシャル
５ プラズマ励起エピタキシー
６ 巨大分子のエピタキシャル成長
著者等紹介
中嶋一雄［ナカジマカズオ］
１９７５年３月京都大学大学院工学研究科博士課程学修。１９７７年３月京都大学工学博士の学位取得。現在、東北大学金属材料研究所教授、工博
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