シリーズ：結晶成長のダイナミクス エピタキシャル成長のメカニズム

中嶋 一雄【編】

共立出版（2002/05発売）

• サイズ A5判／ページ数 210p／高さ 22cm
• 商品コード 9784320034129
• NDC分類 549.8
• Cコード C3342

出版社内容情報

【解説】
本書ではエピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、最も基本となる重要なテーマを取り上げて解説する。本文中に出てくる式に対しても、その導出を行いその意味するところを理解できるように述べた。また、専門用語に対してもできるだけ説明を加え、本書のみで読者が理解し、独力で読み進めることが出来るように工夫している。

【目次】
基本概念・エピタキシャル成長の熱力学・結晶成長のカイネティクス・基板の表面状態とエピタキシャル成長・ヘテロエピタキシャル成長・

内容説明

本巻では、エピタキシャル成長の熱力学、結晶成長のカイネティクス、基板の表面状態とエピタキシャル成長、ヘテロエピタキシャル成長といった、エピタキシャル成長にとって最も基本となり重要なテーマを取り上げ解説している。成長方法は、最も基本となる液相エピタキシャル成長、気相エピタキシャル成長、分子線エピタキシャル成長の３方法を取り上げた。

目次

１　基本概念（エピタキシャル成長の基礎；結晶成長に影響を与える因子；成長モード）
２　エピタキシャル成長の熱力学（固液平衡からの成長（ＬＰＥ）
固気平衡からの成長）
３　結晶成長のカイネティクス（成長表面のカイネティクス；溶液成長における溶質元素の拡散；気相成長の物質輸送効果）
４　基板の表面状態とエピタキシャル成長（面方位とエピタキシャル成長；微傾斜面とエピタキシー；サーファクタントを利用した成長）
５　ヘテロエピタキシャル成長（ヘテロエピタキシャル成長と格子整合；ヘテロ構造の応力・歪み）

著者等紹介

中嶋一雄［ナカジマカズオ］
１９７５年３月、京都大学大学院工学研究科博士課程学修。１９７７年３月、京都大学工学博士の学位取得。現在、東北大学金属材料研究所教授、工博
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感想・レビュー

※以下の感想・レビューは、株式会社ブックウォーカーの提供する「読書メーター」によるものです。

[しょ～や]

お勉強。相変わらず物覚えが悪い。

2017/10/28

[椎茸うま子]

半導体の結晶成長の機構が現象論的に書いてある。実際に結晶成長をする人は、この本の話題ぐらいを知っていると俄然、結晶成長に関する論文が読みやすくなると思います。