目次
第１章 欠陥制御エピタキシャル成長技術による表面物質創製（Ｓｉ表面上Ｇｅ歪エピタキシャル成長によるナノアイランド形成；高規則化刃状転位ネットワーク形成による均一歪Ｓｉ１－ＸＧｅＸ・Ｇｅ層の創製 ほか）
第２章 走査型プローブ顕微鏡による表面物質創製（原子操作による表面物質創製；原子操作による導電性分子デバイス）
第３章 自己組織化によるナノワイヤ、ナノドット形成（ＶＬＳ法によるナノワイヤ成長；シリコン基板上ナノワイヤのヘテロ構造、３次元構造 ほか）
第４章 表面を利用した炭素系ナノ材料の創製（基板表面上のグラフェンの創製；表面構造を利用したカーボンナノチューブの配列制御）
著者等紹介
白石賢二［シライシケンジ］
１９８８年東京大学理学系研究科物理学専門課程修了。現在、筑波大学大学院数理物質科学研究科教授。理学博士。専門は物性理論、半導体デバイス理論、ナノ材料・ナノ物質理論、理論生物物理学（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
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