はじめての半導体ドライエッチング技術 (改訂版)

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はじめての半導体ドライエッチング技術 (改訂版)

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  • サイズ A5判/ページ数 188p/高さ 22cm
  • 商品コード 9784297115999
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

出版社内容情報

「はじめての半導体ドライエッチング技術」 が出版 されてから 8年以上経過しましたが、半導体 の微細化・高集積化の進展は留まるところを知らず、次々新しい技術が出現しています。本書は、アトミックレイヤーエッチング(ALE)など新しい技術の解説や、ドライエッチング技術の今後の課題・展望についてなど、旧版に大幅に加筆訂正を行いました。

目次

1章 半導体集積回路の発展とドライエッチング技術
2章 ドライエッチングのメカニズム
3章 各種材料のエッチング
4章 ドライエッチング装置
5章 ドライエッチングダメージ
6章 新しいエッチング技術
7章 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
8章 ドライエッチング技術の今後の課題と展望

著者等紹介

野尻一男[ノジリカズオ]
1973年群馬大学工学部電子工学科卒業。1975年群馬大学大学院工学研究科修士課程修了。1975年(株)日立製作所入社。2000年ラムリサーチ(株)入社、取締役・CTOに就任。2019年独立し、ナノテクリサーチ代表として技術および経営のコンサルティングを行っている。1989年「有磁場マイクロ波プラズマエッチング技術の開発と実用化」で大河内記念賞を受賞。1994年「低温ドライエッチング装置の開発」で機械振興協会賞通産大臣賞を受賞。2019年DPS Nishizawa Awardを受賞(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

感想・レビュー

※以下の感想・レビューは、株式会社ブックウォーカーの提供する「読書メーター」によるものです。

ぎちお

0
半導体製造の中で、リソグラフィーと双璧をなし、電気、化学、物理など幅広い知識を必要とするドライエッチング技術。その基本から技術応用まで、分かりやすくまとめられた名著。 ビギナー向けに、難しい数式などは使用せず、反応メカニズムの図解やSEM写真、相関グラフが適切に配置し、ドライエッチングの全体像が易しく理解できるよう配慮されており、とても読みやすかったです。 複雑な現象を、噛み砕いて、これだけエッセンスを分かりやすく読者に伝えられるのは、ドライエッチングを底から理解されてるからだと強く思いました。2020/11/25

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