新インターユニバーシティ 電子デバイス

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新インターユニバーシティ
電子デバイス

水谷孝【編著】
価格 ¥2,530（本体¥2,300）
オーム社（2009/09発売）
ゴールデンウィークポイント2倍キャンペーン対象商品(5/6まで)
ポイント 46pt

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サイズ A5判／ページ数 167p／高さ 22cm
商品コード 9784274207648
NDC分類 549.8
Cコード C3055

電子デバイスの学び方
半導体の基礎
ｐｎ接合
バイポーラトランジスタ
ｐｎ接合を用いた複合素子
絶縁体‐半導体界面
ＭＯＳ形電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
ＭＯＳ形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
ショットキー接合とヘテロ接合
ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
量子効果デバイス
デバイスの集積

著者等紹介

水谷孝［ミズタニタカシ］
１９７３年名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程修了。１９８４年工学博士。現在、名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻教授（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。