新インターユニバーシティ
電子デバイス

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  • サイズ A5判/ページ数 167p/高さ 22cm
  • 商品コード 9784274207648
  • NDC分類 549.8
  • Cコード C3055

目次

電子デバイスの学び方
半導体の基礎
pn接合
バイポーラトランジスタ
pn接合を用いた複合素子
絶縁体‐半導体界面
MOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)
MOS形電界効果トランジスタの諸現象と複合素子
ショットキー接合とヘテロ接合
ショットキーゲート電界効果トランジスタと高電子移動度トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
量子効果デバイス
デバイスの集積

著者等紹介

水谷孝[ミズタニタカシ]
1973年名古屋大学大学院工学研究科博士課程前期課程修了。1984年工学博士。現在、名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻教授(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)
※書籍に掲載されている著者及び編者、訳者、監修者、イラストレーターなどの紹介情報です。

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