出版社内容情報
【セールスポイント】
最新かつ重要なテーマを厳選した研究･学術情報書
【発刊の目的と内容】
本シリーズは、応用物理分野の標準的なテキストである＜基礎コース＞と、最新の研究･学術情報書である＜専門コース＞に分かれている。本書は、＜専門コース＞の一冊として、半導体技術の核となる半導体･金属界面での反応の分析･評価を軸にまとめられており、今後の新たな研究開発に向けて、さまざまな示唆に富む内容となっている。
【購読対象者】
応用物理、電気、電子、材料系の技術者･研究者の方々
【詳細目次】
1章 序論♂2章 Si-金属界面での低温反応♂Si-Au界面での低温反応♂Si-金属界面での低温反応のメカニズム♂Si-Pd界面での低温反応♂Si-金属界面反応のまとめ♂その後の発展♂3章 分析手法の基礎♂エネルギー、単位、粒子♂粒子-波動の二重性と結晶格子♂ボーアの原子モデル♂4章 ラザフォード後方散乱法♂高速イオンと物質との相互作用♂情報の性格と表面層分析の実際例♂チャネリング現象♂高速イオンによる表面構造解析♂5章 電子分光法♂電子分光法の基礎♂オージェ電子分光法♂光電子分光法♂6章 その他の分光法♂電子エネルギー損失分光法♂X線分光法♂走査型プローブマイクロスコピー♂索引
内容説明
本書は、半導体技術の核となる半導体‐金属界面での反応の分析・評価を軸に、著者の経験をふまえつつ新たな研究開発に向けた様々な示唆に富む内容となっています。
目次
１章 序論
２章 Ｓｉ‐金属界面での低温反応
３章 分析手法の基礎
４章 ラザフォード後方散乱法
５章 電子分光法
６章 その他の分光法
